编辑:Helan 发布:2018-08-14 18:50
什么是MRAM?
何为MRAM? 百度百科是这样说的:“MRAM(Magnetic Random Access Memory) 是一种非易失性(Non-Volatile)的磁性随机存储器。它拥有静态随机存储器(SRAM)的高速读取写入能力,以及动态随机存储器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以无限次地重复写入。”
划重点:
MRAM是非挥发性介质;
MRAM是磁性随机存储介质;
MRAM具有RAM的读写速度;
MRAM可接近无限次写入。
MRAM特点
我们来看看MRAM有哪些特性。
首先看看MRAM有多快。
MRAM(Spin Torque MRAM)的读写速度跟DRAM差不多。3D-Xpoint、PCM等新型存储介质,在写速度方面跟MRAM相差二三个数量级。所有新型存储介质中,MRAM是唯一一个真正做到和DRAM一个级别访问速度的介质。
除此之外,MRAM还具有很好的数据保持性和宽的工作温度范围。
总结一下MRAM的特点:
基于闪存的SSD,由于每个block寿命有限,因此SSD固件需要做磨损均衡(wear leveling)算法。MRAM由于长生不老的特点,固件就无需实现wear leveling了。
闪存不能覆盖写(写之前需擦除block),因此SSD固件需要做垃圾回收。MRAM可以原地更新,因此不存在垃圾回收之说。
MRAM数据存储原理
我们知道,闪存数据存储在浮栅晶体管,通过往浮栅极注入电子的多少来表示逻辑“0”和“1”。
存储原厂 |
三星电子 | 58800 | KRW | 0.00% |
SK海力士 | 197900 | KRW | +0.46% |
铠侠 | 2316 | JPY | +2.71% |
美光科技 | 88.710 | USD | +2.09% |
西部数据 | 40.890 | USD | +1.14% |
闪迪 | 48.110 | USD | +1.05% |
南亚科 | 41.10 | TWD | +7.31% |
华邦电子 | 18.70 | TWD | +3.31% |
主控厂商 |
群联电子 | 556 | TWD | +4.51% |
慧荣科技 | 50.990 | USD | +0.85% |
联芸科技 | 46.74 | CNY | -0.15% |
点序 | 62.6 | TWD | +0.81% |
国科微 | 68.84 | CNY | +0.38% |
品牌/模组 |
江波龙 | 92.83 | CNY | +0.91% |
希捷科技 | 84.540 | USD | -0.48% |
宜鼎国际 | 260.0 | TWD | +0.97% |
创见资讯 | 104.0 | TWD | 0.00% |
威刚科技 | 90.7 | TWD | +2.37% |
世迈科技 | 17.270 | USD | -0.58% |
朗科科技 | 27.22 | CNY | +5.96% |
佰维存储 | 69.69 | CNY | -0.20% |
德明利 | 129.39 | CNY | +2.16% |
大为股份 | 14.84 | CNY | -0.13% |
封测厂商 |
华泰电子 | 35.55 | TWD | +8.05% |
力成 | 127.5 | TWD | +1.19% |
长电科技 | 35.23 | CNY | +0.66% |
日月光 | 149.0 | TWD | -0.33% |
通富微电 | 26.88 | CNY | +0.19% |
华天科技 | 10.59 | CNY | -0.19% |
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