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3D NAND技术发展现状

编辑:Helan 发布:2014-08-05 11:51

随着NAND Flash纳米制程技术不断向下微缩,技术瓶颈越发凸显,3D NAND Flash技术经过几年时间的沉淀,上游芯片厂三星、东芝、海力士、美光已在2013年公布了3D技术规划的时程表。
3D NAND技术与现有的2D NAND(纳米制程技术)截然不同,2D NAND是平面结构而3D V-NAND是立体结构,3D结构是以垂直半导体通道的方式排列,多层环绕式栅极(GAA)结构形成多电栅级存储器单元晶体管,可以有效的降低堆栈间的干扰。3D技术不仅使产品性能至少提升20%,而且功耗可以降低40%以上。
三星已在2013年8月首次批量生产3D V-NAND产品,制程35nm,可以堆叠24层,容量可达128Gb V-NAND,到2015年24nm 3D 36层容量将达到1Tb。东芝/闪迪计划采用P-BiCS(Pipe-shaped Bit Cost Scalable)技术生产3D NAND Flash产品,于2015下半年量产;美光3D NAND Flash产品预计2014年第二季度送样,量产时间待定;SK海力士则使用微调VSAT(Vertical Stacked Array Transistor)技术生产3D NAND Flash,也于2015年迈入量产阶段。
虽然各芯片厂都已列出了3D技术的量产时程表,但目前除了三星已开始量产外,其他芯片厂均在2015年量产,未来1年多的时间将依然以2D NAND技术生产为主,直到1znm的工艺。

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股市快讯 更新于: 04-03 20:04,数据存在延时

存储原厂
三星电子57600KRW-2.04%
SK海力士194600KRW-1.67%
铠侠2065JPY-10.84%
美光科技88.600USD-0.12%
西部数据41.780USD+2.18%
闪迪47.670USD-0.91%
南亚科41.10TWD+7.31%
华邦电子18.70TWD+3.31%
主控厂商
群联电子556TWD+4.51%
慧荣科技51.610USD+1.22%
联芸科技46.02CNY-1.54%
点序62.6TWD+0.81%
国科微67.66CNY-1.71%
品牌/模组
江波龙90.60CNY-2.40%
希捷科技85.520USD+1.16%
宜鼎国际260.0TWD+0.97%
创见资讯104.0TWD0.00%
威刚科技90.7TWD+2.37%
世迈科技18.050USD+4.52%
朗科科技27.56CNY+1.25%
佰维存储67.29CNY-3.44%
德明利126.66CNY-2.11%
大为股份14.61CNY-1.55%
封测厂商
华泰电子35.55TWD+8.05%
力成127.5TWD+1.19%
长电科技34.37CNY-2.44%
日月光149.0TWD-0.33%
通富微电26.54CNY-1.26%
华天科技10.44CNY-1.42%