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3D NAND技术发展现状

编辑:Helan 发布:2014-08-05 11:51

随着NAND Flash纳米制程技术不断向下微缩,技术瓶颈越发凸显,3D NAND Flash技术经过几年时间的沉淀,上游芯片厂三星、东芝、海力士、美光已在2013年公布了3D技术规划的时程表。
3D NAND技术与现有的2D NAND(纳米制程技术)截然不同,2D NAND是平面结构而3D V-NAND是立体结构,3D结构是以垂直半导体通道的方式排列,多层环绕式栅极(GAA)结构形成多电栅级存储器单元晶体管,可以有效的降低堆栈间的干扰。3D技术不仅使产品性能至少提升20%,而且功耗可以降低40%以上。
三星已在2013年8月首次批量生产3D V-NAND产品,制程35nm,可以堆叠24层,容量可达128Gb V-NAND,到2015年24nm 3D 36层容量将达到1Tb。东芝/闪迪计划采用P-BiCS(Pipe-shaped Bit Cost Scalable)技术生产3D NAND Flash产品,于2015下半年量产;美光3D NAND Flash产品预计2014年第二季度送样,量产时间待定;SK海力士则使用微调VSAT(Vertical Stacked Array Transistor)技术生产3D NAND Flash,也于2015年迈入量产阶段。
虽然各芯片厂都已列出了3D技术的量产时程表,但目前除了三星已开始量产外,其他芯片厂均在2015年量产,未来1年多的时间将依然以2D NAND技术生产为主,直到1znm的工艺。

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股市快讯 更新于: 04-30 07:39,数据存在延时

存储原厂
三星电子55800KRW0.00%
SK海力士180800KRW-0.66%
铠侠1886JPY+0.86%
美光科技76.880USD-2.14%
西部数据40.620USD-0.71%
闪迪32.940USD+2.08%
南亚科37.20TWD+0.27%
华邦电子15.95TWD+1.59%
主控厂商
群联电子449.0TWD+1.24%
慧荣科技45.160USD+1.51%
联芸科技40.56CNY+1.65%
点序55.5TWD+1.28%
国科微69.40CNY+0.78%
品牌/模组
江波龙75.40CNY+2.38%
希捷科技81.600USD-0.68%
宜鼎国际240.0TWD+0.63%
创见资讯103.5TWD+0.98%
威刚科技83.8TWD+2.44%
世迈科技16.940USD-1.91%
朗科科技24.07CNY+0.21%
佰维存储61.52CNY+2.88%
德明利126.58CNY+3.52%
大为股份13.89CNY+2.51%
封测厂商
华泰电子33.40TWD+1.83%
力成111.5TWD0.00%
长电科技33.02CNY+0.92%
日月光138.5TWD+1.09%
通富微电25.37CNY+0.87%
华天科技9.80CNY0.00%