三星生产存储器芯片NAND Flash的14产线,正逐渐转换生产系统芯片,位于器兴厂的半导体线,将全数转为生产系统芯片。另一方面,三星半导体16产线,预计9月将正式投入量产。

本周(613-617)NAND Flash现货市场价格本周波动一般,整体价格跌涨起伏,仍然是主流MLC 16Gb、32Gb价格波动比较频繁,SLC高容量产品价格出现大幅下跌走势,低容量产品价格波动有限。闪存卡方面,本周价格成稳定偏软走势,价格波动的比较少。

下半年市场需求可观,且NAND Flash厂20纳米级制程也已步入量产阶段,大幅扩大产能产出。下半年产能与需求相冲撞,下半年市场发展趋向弹性较大,目前很难预见,还需进一步观察市场供需方的动向。

闪存卡价格明显已经触底,价格也将逐渐好转,从本周数据来看,1GB、2GB价格出现了明显好转的现象,但主要是厂商力挺价格,对市场供货相对控制。随淡季过后,市场需求也逐渐升温,需求将带动价格逐渐好转。

本周(523-530)市场价格未见好转,价格持续下跌,但下跌幅度较弱。NAND Flash部分,价格持续下滑,但主要下跌的产品还是MLC 32Gb和16Gb容量,32Gb本周跌幅大约在6%~10%。16Gb本周波动幅度相对较大,跌幅在4%~16%。

在闪存卡方面,价格也持续下滑,本周主要是1GB、2GB、4GB价格下滑比较频繁,分别下跌6%,3.8%,4%,从数据显示可以看出,1GB跌幅较大。市场需求仍然表现清淡,需求不大,市场买气低迷,成交也较为零星,整体成交量不大。

本周(509~513)价格仍然持续下滑,但下跌幅度明显减弱,平均跌幅都在1%左右,不仅MLC型产品价格呈下跌走势,SLC型产品也开始微幅下滑,下滑幅度同样较弱,市场需求也未见好转,市场成交不大。

闪存卡1GB、2GB容量产品价格波动比较频繁,本周2GB价格维持平稳走势,价格与周一价格持平,维持在一定价位,1GB价格则仍然持续下滑,下跌幅度在2.3%左右,4GB容量产品价格也成下滑走势,8GB容量产品价格受到供货影响,价格呈上扬走势,但上扬幅度较弱。

闪存卡1GB、2GB容量产品价格也成偏软走势,主要是市场需求持续偏软,但价格下跌幅度较弱,1GB本周下跌3.9%,2GB本周下跌2.6%;高容量8GB、16GB则出现大幅上扬的趋势,涨幅较大,主要受到高容量供货短缺的影响。

本周(418~422)价格呈跌涨起伏之势,整体价格区间震荡,跌涨幅度都维持在1~2%,,闪存产品价格仍然是1GB、2GB容量产品价格波动比较明显,本周价格也呈跌涨起伏之势,价格波动也比较小,在香港复活节来...

本周(411~415)价格仍然表现疲软,整体价格呈微幅下跌走势,主要是MLC型产品价格呈微幅下跌走势,下跌幅度在1%左右,SLC高容量32Gb、16GB、8GB价格呈上扬走势,上扬幅度在3%左右,价格波动较大,主要受到供货有限所致。

本周(406-408)市场表现平淡,除Samsung 128Gb MLC (MDG)/ 64Gb MLC (HCG)受市场供货减少影响,价格出现明显的上扬之外,其他NAND产品价格波动都比较平缓,跌涨幅度平均在1%左右。

日本强震效应,让NAND Flash合约价走扬,将有助减缓今年NAND Flash平均销售单价跌幅,更将有助于模块厂创见(2451)、劲永(6145)、威刚(3260)等业绩增温,有利于营运逐步走出谷底。

自311地震后价格一日暴涨后,闪存卡Micro SD价格就开始呈下滑走势,本周(321~325)价格出现明显好转的迹象,NAND价格经一日暴涨后价格并未表现好转,整体价格呈稳定偏软走势。

美光科技第二财季财报超出华尔街预期,惟日本311强震后产业供应链受到干扰,美光正试图确保硅晶圆供应无虞,并表示目前评估日本震灾对其事业的影响仍然言之过早。

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