名称 | NAND Flash | 速度(读) | 速度(写) | 容量 | 接口 | 其他 | ||||||||
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DC1000M | BiCS3 64L 3D TLC | 最高3100MB/秒 | 最高2800MB/秒 | 960GB~7.68TB | PCIe Gen3×4 | 查看
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金士顿的DC1000M使用Silicon Motion的SM2270控制器,16通道设计,这种控制器布局意味着SM2270总共具有三对ARM Cortex R5 CPU内核:一对用于处理NVMe协议的前端,一对用于处理低级NAND管理的后端的每一对。后端的每个部分还具有自己的32位DRAM控制器。闪存芯片采用Kioxia 的 64 层 BiCS3 3D TLC,容量范围从960 GB到7.68 TB。
参数方面,金士顿DC1000M的顺序读取速度可达3100 MB/s,顺序写入速度最高为2800 MB/s,随机读取速度最高为540k IOPS,随机写入速度最高为210k IOPS。
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