BIWIN DDR

BIWIN DDR提供从DDR1到DDR4的高性能RAM解决方案，主要满足台式电脑、路由器、机顶盒等商规电子产品的内存需

产品分类：嵌入式 品牌：佰维存储
应用领域： 台式机
产品白皮书 发布于：2020-04-29
BIWIN DDR 共2个产品
系列 封装 容量
BIWIN DDR3 FBGA78/FBGA96 2Gb~4Gb
BIWIN DDR4 FBGA78/FBGA96 ＞4Gb

产品概览

DDR全称Double Data Rate 双倍速内存，是在SDRAM内存基础上发展而来的。比SDRAM有更高的传输速率。BIWIN DDR提供从DDR1到DDR4的高性能RAM解决方案，主要满足台式电脑、路由器、机顶盒等商规电子产品的内存需求。

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⊙04-07 17:20

受惠价量齐扬，威刚3月合并营收105.4亿元（新台币，下同），改写单月新高，同比增幅达181.5%，同时DRAM模组及SSD两大产品销售额以70.6亿元及27.4亿元同创历史单月新高。

⊙04-07 16:41

据韩媒报道，三星电子在生产过程中应用了自主研发的下一代低温焊接（LTS）技术，成功解决了SOCAMM2的翘曲问题。作为低功耗内存模块，SOCAMM2与HBM一同集成到NVIDIA的下一代AI平台“Vera Rubin”中。

⊙04-07 16:16

存储主控芯片厂商得一微电子股份有限公司近日在深圳证监局办理上市辅导备案登记，正式重启A股IPO进程，辅导机构为中信建投证券，中伦律师事务所、上会会计师事务所联合参与。

得一微曾于2022年11月申报科创板，后于2024年3月主动撤回申请。公司是一家以存储控制技术为核心的芯片设计企业，产品覆盖固态硬盘、嵌入式存储、扩充式存储三大产品线。此次重启，公司将重点聚焦AI存力、存算一体、CXL等前沿方向。

⊙04-07 11:38

据韩媒报道，三星电子已为平泽半导体生产基地P5晶圆厂集群的首个阶段PH1订购了70余台光刻机，为该阶段2027年的投运做好准备。平泽P5 PH1所需的这些光刻机来自ASML和佳能，其中约20台为ASML的EUV曝光系统。P5 PH1将用于1c nm制程DRAM生产，将同时制造通用内存和HBM。三星电子预计将从2027Q2开始为平泽P5 PH1安装图案化设备，届时该阶段的洁净室施工也将完成，有望在2027年内贡献产能，满足英伟达 "Rubin" 与其它AI XPU的需求，纾解当前DRAM市场的供应紧张态势。

⊙04-07 10:52

三星电子公布2026年第一季度营收预估：预计合并营收约133兆韩元（约合881亿美元），环比增长41.7%，同比增长68.1%；预计合并营业利润约57.2兆韩元（约合379亿美元），环比增长185%，同比增长755%。

⊙04-01 09:57

德明利发布2026年第一季度业绩预告。公司预计2026年第一季度营收为73亿元-78亿元，同比增长483.05%-522.98%；归属于上市公司股东的净利润为31.5亿元-36.5亿元，上年同期亏损6908.77万元；扣除非经常性损益后的净利润为31.4亿元-36.4亿元，上年同期亏损7495.86万元。报告期内，在供应偏紧的背景下，行业景气度持续上行，存储价格持续上涨，公司依托前期充足的原材料战略储备，盈利能力持续改善，利润水平大幅提高。

⊙04-01 09:32

3月31日，铠侠再次向客户发出通知，宣布将于2028年停止生产部分浮栅式（Floating Gate）和BiCS FLASH™ Gen3产品。具体涉及的产品包括基于32/24/15nm制程（SLC/MLC/TLC）的浮栅式和BiCS FLASH™ Gen3晶圆、BGA、TSOP、eMMC、UFS、普通SD。铠侠表示，最后采购预测（即客户最后一次下单数量）期限为2026年9月30日，最后出货时间为2028年12月31日。此前，铠侠曾于3月16日向客户宣布停产采用“薄型小尺寸封装”（TSOP）的MLC NAND闪存产品。

⊙03-31 10:58

据韩媒报道，美光已启动一项全新研发计划，旨在开发一款垂直堆叠结构的GDDR内存产品，通过类似HBM的垂直堆叠技术，大幅提升传统显存的性能与容量。这一创新设计有望在标准GDDR与高端HBM之间开辟一条新的技术路径，满足市场对高性能、低成本内存解决方案的迫切需求。据悉，美光计划在今年下半年完成相关设备的安装并进入工艺测试阶段。目前初步确定的方案是进行4层GDDR芯片的垂直堆叠，若进展顺利，首批测试样品最快将于2027年亮相。

⊙03-30 10:31

据韩媒报道，三星电子位于中国西安的NAND晶圆厂近期成功完成工艺制程升级，实现了236层堆叠的第八代V-NAND (V8 NAND)的量产。本次制程升级始于2024年，旨在改造原有的V6 (128L) NAND，以提升产品性能与生产效率，增强产能竞争力，满足AI时代对高性能存储设备的需求。三星西安晶圆厂的下一步瞄准了286层堆叠的V9 NAND，相关生产线将位于X2工厂，计划在2026年内完成过渡并实现量产。

⊙03-25 16:39

佰维存储（688525）3月25日公告，公司与某存储原厂签订15亿美元采购合同，为期24个月（2026年二季度至2028年一季度），标的为特定存储晶圆。合同金额超公司2025年营收与总资产的50%，达到重大合同披露标准。公司表示，此举旨在锁定中长期晶圆供应，稳定采购成本，助力业务稳健发展。

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