自311地震后价格一日暴涨后,闪存卡Micro SD价格就开始呈下滑走势,本周(321~325)价格出现明显好转的迹象,NAND价格经一日暴涨后价格并未表现好转,整体价格呈稳定偏软走势。
不仅存储产业受到影响,相关产业受日本地震也相当大。整体而言,日本地震对电子产业所使用的许多上游原材料和关键零组件的冲击较大;此外,后期运输问题和供应短缺问题也将给下游产品的出货带来了不便。
据本周数据显示,Samsung 32Gb~64Gb MLC型品牌产品本周价格跌幅相对较大,64Gb从USD 18下跌至USD 16.8,下跌6.7%左右。32Gb从USD 11.3下跌至USD 10.6,下跌6%左右。其他容量产品价格跌幅平均在1~2%之间
大陆春节长假过后,记忆卡及随身碟传统销售淡季效应持续,商家由于将库存控制在一定水位,所以市场购买力度不强,市场成交较为零星,市场需求表现不大。
2月上旬 NAND Flash 市场受中国农历年长假,及节后一些下游客户仍在盘点库存的影响,故合约价大致呈现持平的状况;现货市场需求农历年节后需求表现比较疲软,NAND Flash MLC产品价格呈下滑走势,主要是16Gb~64Gb容量产品价格。
本周(2011-01-10-17)NAND Flash现货市场需求未见浮现,商家微幅调整价格,整体闪存产品价格呈稳中偏软走势,下滑幅度较弱。
本周(2011-01-03-08)NAND Flash现货市场价格表现主要集中在高容量产品上,低容量价格表现比较平淡。
NAND Flash市场进入2010年底后非常不平静,东芝跳电事件逆转整个NAND Flash市场供需,市场对于未来1季的NAND Flash价格走势开始有所期待,加上众家品牌大厂相争推出平板计算机,预计会成为消化NAND Flash产能最主要的应用。
本周(1220-1224)NAND Flash现货市场部分价格仍然呈上扬走势,个别产品价格开始下滑,价格波动的产品仍然是16Gb~64Gb容量,本周价格涨幅较弱,平均涨幅在1~2%左右,市场需求也表现在16Gb~64Gb容量上,低容量产品受到供货减少的影响
本周(1213-17)受到NAND Flash大厂东芝(Toshiba)上周断电事件的影响,使得NAND Flash报价开始止跌反弹,上扬幅度颇大,NAND Flash价格上扬将有助于各厂12月营收的改善。
本周(1206-1210)NAND Flash现货价开始呈稳定偏软走势,价格波动的产品相对减少,价格波动幅度也相对减弱。闪存卡价格走势也是如此,前期价格走势相对疲软,周四闻讯东芝跳电事件之后,激励价格呈上扬走势,上扬幅度较大。
本周(1129-1203)NAND Flash合约11月下旬开始止跌,NAND Flash现货市场价格仍然持续走高,但价格上扬的产品相对减少,仍然主要集中在16Gb~64Gb上,部分价格波动幅度较大。本周低容量产品价格也开始微幅上扬,相对涨幅较弱。
本周NAND Flash现货市场价格仍然持续走高,但价格呈微幅上扬走势。根据数据显示,NAND Flash价格上扬表现在MLC型8Gb~64Gb容量上,高容量128Gb个别产品也呈上扬走势,1~4Gb价格波动较少。
11月开始进入消费性电子市场淡季,11月上旬NAND Flash合约价持续大跌,64Gb和16Gb容量MLC产品跌幅逾7%,8Gb容量MLC产品跌幅扩大至10~14%,系统客户备货力道趋缓,内存模块厂买单意愿低,使得合约价持续走。
本周(1108-12)NAND Flash价格呈跌涨起伏之势,一般价格波动主要表现在8~64Gb NAND Flash MLC产品上,1~8Gb NAND Flash SLC价格波动较小,一般呈持平状态。市场需求表现一般,个别容量产品价格需求回稳,成交一般