2019年首季受淡季需求影响,2个多月以来NAND Flash价格累积下滑12%,业内人士纷纷保守看待后续发展,并预估NAND Flash市场价格将持续跌势。然而,本周部分闪存产品价格表现涨势,再加上市场需求有所增加,后续行情走势备受市场关注。

三星率先发布Galaxy S10 5G手机,打响5G商用的第一枪。不仅仅是三星,华为、OPPO、中兴、一加等5G手机也即将上市,加快引爆5G市场商机,同时旗舰机开启1TB大容量应用,给NAND Flash市场带来“福音”。

2019年首季市场需求依然持续低迷,目前原厂库存压力较大,所以灵活调整库存,合理去库存化是企业目前最大的挑战。2月下旬开始,三星、华为、小米等均有新品发布,有助于提振市场需求,重启拉货动能。

11月中国手机市场出货量3537.0万部,同比下降18.2%,环比下降8.2%;1-11月,国内手机市场出货量3.79亿部,同比下降15.6%,预计2019上半年将持续低迷走势。

上周,部分闪存产品价格触底反弹,其中主流闪存卡价格涨幅接近15%,部分低端产品最高涨幅达到20%。受闪存卡和U盘涨价的影响,业内人士对其他闪存产品SSD、eMMC、eMCP等价格是否跟涨或动荡,以及未来NAND Flash价格走势高度关注。

在科技快速发展的推动下,人工智能、物联网、自动驾驶等已成为当下业界耳熟能详的热门话题,并吸引苹果、谷歌、微软、英特尔、英伟达等科技巨头企业争相加入。无论是IOT、AI、自动驾驶,都需要用到大数据运算、海量数据存储,以及对数据传输,高可靠性和高品质存储等均有

NAND Flash价格下滑是新3D技术普及后的正常现象,但是市场价格不到1年的时间大跌65%,却让业内人士始料未及,出乎预料。

日前,武汉、南京、成都三大存储基地开工,给中国存储产业发展注入“强心剂”。然而,本周福建晋华遭受“禁售+诉讼”双重打击,让业内人士纷纷担心,其后续DRAM发展恐受到影响。

本周科技巨头纷纷发布2018年第三季财报,根据目前公布的数据,受Q3旺季需求带动影响,除了西部数据,三星、英特尔、美光、微软、SK海力士等财报均表现亮眼,尤其是存储器厂商,受惠于智能手机、服务器等存储容量不断增加,带动Bit出货量增长,财报均同比表现大涨。

近几年,中国在存储领域大手笔投资,主要瞄准3D NAND、DRAM、NOR Flash、SLC NAND等产品线。当下,除了武汉存储基地一期投入生产,武汉、南京、成都三大项目陆续宣布开工,代表着中国存储产业发展又向前推进了一大步。

各家原厂在3D技术上发展迅速,目前大部分原厂3D NAND产出占比已高达80%以上,基于容量和成本的优势,自东芝采用96层3D TLC推出XG6系列SSD之后,西部数据也发布了基于96层3D NAND的UFS 2.1,引领新一代96层3D NAND技术积极

8月eMMC价格走势平稳,其中eMMC 32GB TLC价格维持7.5美金,eMMC 64GB TLC价格维持14美金。SSD方面,受新的64层3D NAND扩大应用的影响下,高容量SSD价格持续下滑。

2018上半年原厂64层3D NAND市场应用逐步扩大,下半年开始陆续量产更低成本的QLC以及96层3D NAND,使得市场NAND Flash Bit供应量大幅增加。2018年NAND Flash价格基本回到了2016年涨价时期的价格水平。

近期,三星、东芝/西部数据、英特尔/美光、SK海力士,以及长江存储均发布了其创新技术和战略规划。各家原厂2018下半年目标是进入64层QLC NAND和96层TLC NAND量产阶段,2019年推进96层QLC NAND技术发展。

2018年Q2已经结束,存储产业链原厂、主控厂及模组厂相继发布财报,虽然受NAND Flash价格下滑的影响,但是受惠于服务器和SSD产品需求强劲,大部分Flash原厂财报表现亮眼,主控厂和模组厂财报表现跌涨不一。

简讯快报

更多

存储厂商

更多