由于存储成本降幅剧烈,刺激消费端TB级别SSD市占明显增长,大容量SSD市场成为各品牌必争之地,价格厮杀激烈。
随着时间步入6月,存储供需两端处于“掰手腕”的博弈阶段,不过市场仍处于供过于求的状态,终端拉货动力有限,市场流速受阻,存储成品行情低迷,厂商普遍以小步快跑的节奏出货,加速回笼资金为主。
DRAM行情较NAND更稳定,渠道整体倒挂水平有所改善,部分eMMC小幅调涨。
渠道和行业市场SSD和内存条价格趋于稳定,需求暂未见明显变化,市场持续关注美光事件带来的后续影响,并聚焦于618购物节可能带来的需求变化。
前有部分渠道DDR价格拉涨,近日部分NAND Flash报价上调5%~6%,据CFM闪存市场消息显示,部分原厂试图更大范围的调涨NAND价格,但目前市场承接意愿低迷,短期涨价落地较为困难。
据CFM数据显示,DRAM需求方面,预计2023年DRAM bit需求增长5%至2000亿Gb。DRAM供应方面,占据95%市场的三星、SK海力士、美光进行积极减产,显著削减全球DRAM的供应量,使今年DRAM Bit供应转负远低于需求增长。
此次行情倒挂严重持续时间过久,令渠道品牌难以坐以待毙,近日渠道部分内存产品出现联合拉价的举措,若能一直维持拉涨势头,部分渠道内存产品有望局部见底,不过整体行情还是以实际需求定音。
短期部分渠道行情的波动虽不足以说明大行情反转,却是市场逐渐达成底部共识的必经之路,是存储周期向前推进的积极信号。
总体来看,存储市场Q1至暗时期已过,好转的预期将会越来越强烈。
本周存储现货行情延续调整,上游资源NAND Flash和部分DDR颗粒价格下调。128Gb/256Gb/512Gb/1Tb TLC NAND Flash Wafer分别降至1.12/1.00/1.48/3.06美元,DDR4 16Gb eTT/8Gb 3200/8Gb eTT分别调整至2.50/1.83/1.23美元,DDR4 16Gb 3200和DDR4 4Gb eTT不变。
本周存储行情方面, NAND Flash Wafer和DDR颗粒价格波幅明显大于成品SSD和内存条价格,渠道和行业SSD价格维持不变,渠道内存条价格整体小幅调整。
存储上游原厂库存高企,上游资源价格难以止跌,尤以NAND竞价出货动作频频。淡季整体市场围观氛围渐浓,基本维持按需流动。存储渠道和行业市场加速出货,叠加成本持续走低,SSD和内存条价格仍在延续小幅调整。
存储上游库存影响持续消化中,一季度或成全年最淡低点,随着上游资源跌破现金成本,原厂亏损将进一步扩大。不过对于下游厂商而言,经历半年库存调整后,目前库存已降至合理水平,日常以快进快出、控成本跑流速为主,为淡季需求有限下的生存之道。
从近两周的存储行情来看,上游DDR颗粒降幅收敛,SSD和内存条价格调整也以大容量产品居多,进入3月后存储行情或将趋于小幅调整。
上游资源方面,Flash Wafer 1Tb/512Gb/256Gb/128Gb分别降至3.62/1.78/1.24/1.30美元,256Gb和128Gb Flash Wafer的倒挂价差有所收敛。DDR暂缓下跌,DDR4 16Gb 3200/16Gb eTT/8Gb 3200/8Gb eTT/4Gb eTT分别为3.10/2.85/2.04/1.42/0.75美元。