ADATA XPG SX9000 M.2系列
ADATA XPG SX9000 M.2系列

采用Marvell控制芯片搭配PCIe Gen3x4接口，读写速度可达每秒2800/1450MB，符合NVMe 1.2标准。

威刚 2017-08-15
美光企业级9200系列NVMe SSD
美光企业级9200系列NVMe SSD

最高提供11TB容量，具备3D NAND成本优势，支持高吞吐量和响应时间，符合NVMe协议，PCIe Gen 3接口传输。

美光 2017-08-09
Toshiba SG6系列
Toshiba SG6系列

采用SATA 3.0 6Gbps接口，提供2.5寸、M.2 2280两种形态，容量均有256GB、512GB、1024GB三种。

铠侠 2017-08-08
时创意企业级SSD N11E
时创意企业级SSD N11E

采用3D TLC，M.2 2280规格形态，M.2 SATA 3.0(Key B+Key M)接口，提供128GB~1TB多种容量选择。

时创意 2017-08-01
时创意企业级SSD S21E
时创意企业级SSD S21E

采用3D TLC，SATA 6 Gbps接口，SMI主控，提供128GB-1TB容量选择，支持掉电保护。

时创意 2017-08-01
时创意消费级SSD N20C
时创意消费级SSD N20C

采用2D/3D TLC，M.2 2242规格形态，M.2 SATA 3.0(Key B+Key M)接口，提供128GB~1TB多种容量选择。

时创意 2017-08-01
Toshiba TR200系列
Toshiba TR200系列

采用东芝64层3D TLC Flash，2.5英寸规格形态，SATA III6Gbps接口速度，提供240GB、480GB和960GB容量选择。

铠侠 2017-07-28
台电极光系列SSD
台电极光系列SSD

采用3D NAND，2.5inch形态，240GB/256GB/320GB/360GB/480GB/512GB/640GB/720GB/960GB多种容量选择。

台电 2017-07-13
时创意企业级SSD S11E
时创意企业级SSD S11E

采用2D/3D TLC，SATA 6 Gbps接口，SMI主控，提供128GB-1TB容量选择。

时创意 2017-07-03
时创意消费级SSD M10C
时创意消费级SSD M10C

采用2D/3D TLC，mSATA 6 Gbps接口，SMI主控，提供128GB-1TB容量选择。

时创意 2017-07-03
时创意消费级SSD N10C
时创意消费级SSD N10C

采用2D/3D TLC，M.2 2280规格形态，M.2 SATA 3.0(Key B+Key M)接口，提供128GB~1TB多种容量选择。

时创意 2017-07-03
N600S
N600S

采用3D NAND，提供128GB/256GB/512GB/1TB/2TB的容量选择。

朗科科技 2017-06-30
Intel 545S SSD系列
Intel 545S SSD系列

采用Intel 64层3D NAND闪存，搭配慧荣SM2259控制芯片（SM2258升级版），2.5英寸规格形态，容量为512GB。

英特尔 2017-06-27
时创意消费级SSD S10C
时创意消费级SSD S10C

采用2D/3D TLC，SATA 6 Gbps接口，SMI主控，提供128GB-2TB容量选择。

时创意 2017-06-01
Toshiba XG5系列
Toshiba XG5系列

采用PCIe Gen3 x4接口，符合NVMe规范协议，内嵌SLC缓存，单面M.2 2280规格形态，适合移动电脑办公需求。

铠侠 2017-05-31

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⊙01-16 16:56

据韩媒报道，熟知三星电子内情的相关人士透露，近期三星电子1c DRAM良率已接近60%，该良率确保了超过盈亏平衡点。

⊙01-15 14:57

受惠存储价格走扬与需求回温，宜鼎国际2025年第四季度单季营收达48.06亿元（新台币，下同），环比增长26.25%，同比增长115.74%，带动全年营收达142.61亿元，同比增长近六成，创下历史新高。展望今年第一季，宜鼎看好整体需求动能延续，DRAM 与NAND Flash 价格皆持续上扬，其中Flash价格自去年第三季才开始反映供需变化，涨势仍在加速阶段，首季涨幅可望与DRAM 相当。

⊙01-15 14:25

据韩媒etnews引述业内人士报道，SK海力士已将其无锡工厂的现有1z工艺升级为1a工艺。目前，SK海力士无锡工厂基于12英寸晶圆的DRAM月产能为18万至19万片，其中约90%的产能为1a工艺。无锡工厂的产量占SK海力士DRAM总产量的30%至40%。

与此同时，SK海力士预计将加快其韩国DRAM晶圆厂向1c工艺的升级改造。1c升级的投资将集中在位于利川的M14和M16晶圆厂。其未来的生产结构将是：通用DRAM产品在中国生产，而尖端DRAM产品在韩国生产。

⊙01-15 14:04

据韩媒报道，业内人士透露，英伟达2025年第四季度再次提高了对三星电子和SK海力士的HBM4芯片供应标准。作为回应，三星电子正在修改其逻辑芯片设计，并与代工部门合作，重点关注散热控制和性能提升，加快研发进度。三星电子内部人士表示，提高数据传输速度并不难，只需对逻辑芯片的设计和工艺进行一些改进即可实现。达到英伟达提出的每引脚13Gbps的传输速度是可能的，只是散热存在问题，但这个问题很快就能解决。

⊙01-15 11:05

SK海力士美国法人长柳成洙（音译）近日在接受路透社采访时透露，SK海力士将在 2027 年 2 月提前3个月开放韩国龙仁新园区的首家工厂。同时，计划从下月起在清州新建的 M15X 工厂投放硅晶圆，正式启动HBM芯片的生产。

⊙01-15 09:38

台媒报道，威刚科技宣布投资1亿美元（约合新台币31.4亿元/人民币6.97亿元），从The Film Property Trust收购Weta FX Limited普通股1,366.75万股，每股作价7.3166美元。交易完成后，威刚将持有Weta FX 25%的股权，成为其重要战略股东。此项投资主要着眼于人工智能（AI）技术在影视内容、数字特效及虚拟制作等领域的长期发展潜力，以切入AI内容应用的新蓝海市场。

⊙01-14 10:21

1月13日，佰维存储发布公告，预计2025年度实现营业收入100亿元-120亿元，同比增长49.36%-79.23%；预计2025年度归母净利润8.5亿元-10亿元，同比增长427.19%-520.22%。

⊙01-13 17:15

希捷正式推出三款 32TB CMR 机械硬盘，覆盖企业级 Exos 银河、监控 SkyHawk 酷鹰 AI、NAS 存储 IronWolf 酷狼 Pro 三条产品线。以上三款产品均基于希捷Mozaic HAMR（热辅助磁记录）技术平台，并针对应用场景进行了优化。

⊙01-13 10:09

据韩媒报道，三星电子正在评估韩国SNS Tech公司提供的EUV空白掩模，目标是在第二季度投入使用。目前正处于掩模评估的最后阶段，目标是在本月或下个月完成评估。三星电子一直以来都依赖进口EUV光刻掩模版，对日本的依赖程度尤其高，Hoya和Asahi Glass占据了三星大部分的供应。

⊙01-12 10:17

通富微电公告，拟定增募资资金总额不超过44亿元，募集资金扣除发行费用后拟用于存储芯片封测产能提升项目、晶圆级封测产能提升项目、高性能计算及通信领域封测产能提升项目，分别投入募集资金8亿元、10.55亿元、6.95亿元和6.2亿元。此外计划将12.3亿元用于补充流动资金及偿还银行贷款。

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