美光企业级9200系列NVMe SSD
美光企业级9200系列NVMe SSD

最高提供11TB容量，具备3D NAND成本优势，支持高吞吐量和响应时间，符合NVMe协议，PCIe Gen 3接口传输。

美光 2017-08-09
Toshiba SG6系列
Toshiba SG6系列

采用SATA 3.0 6Gbps接口，提供2.5寸、M.2 2280两种形态，容量均有256GB、512GB、1024GB三种。

铠侠 2017-08-08
时创意企业级SSD N11E
时创意企业级SSD N11E

采用3D TLC，M.2 2280规格形态，M.2 SATA 3.0(Key B+Key M)接口，提供128GB~1TB多种容量选择。

时创意 2017-08-01
时创意企业级SSD S21E
时创意企业级SSD S21E

采用3D TLC，SATA 6 Gbps接口，SMI主控，提供128GB-1TB容量选择，支持掉电保护。

时创意 2017-08-01
时创意消费级SSD N20C
时创意消费级SSD N20C

采用2D/3D TLC，M.2 2242规格形态，M.2 SATA 3.0(Key B+Key M)接口，提供128GB~1TB多种容量选择。

时创意 2017-08-01
Toshiba TR200系列
Toshiba TR200系列

采用东芝64层3D TLC Flash，2.5英寸规格形态，SATA III6Gbps接口速度，提供240GB、480GB和960GB容量选择。

铠侠 2017-07-28
台电极光系列SSD
台电极光系列SSD

采用3D NAND，2.5inch形态，240GB/256GB/320GB/360GB/480GB/512GB/640GB/720GB/960GB多种容量选择。

台电 2017-07-13
时创意企业级SSD S11E
时创意企业级SSD S11E

采用2D/3D TLC，SATA 6 Gbps接口，SMI主控，提供128GB-1TB容量选择。

时创意 2017-07-03
时创意消费级SSD M10C
时创意消费级SSD M10C

采用2D/3D TLC，mSATA 6 Gbps接口，SMI主控，提供128GB-1TB容量选择。

时创意 2017-07-03
时创意消费级SSD N10C
时创意消费级SSD N10C

采用2D/3D TLC，M.2 2280规格形态，M.2 SATA 3.0(Key B+Key M)接口，提供128GB~1TB多种容量选择。

时创意 2017-07-03
N600S
N600S

采用3D NAND，提供128GB/256GB/512GB/1TB/2TB的容量选择。

朗科科技 2017-06-30
Intel 545S SSD系列
Intel 545S SSD系列

采用Intel 64层3D NAND闪存，搭配慧荣SM2259控制芯片（SM2258升级版），2.5英寸规格形态，容量为512GB。

英特尔 2017-06-27
时创意消费级SSD S10C
时创意消费级SSD S10C

采用2D/3D TLC，SATA 6 Gbps接口，SMI主控，提供128GB-2TB容量选择。

时创意 2017-06-01
Toshiba XG5系列
Toshiba XG5系列

采用PCIe Gen3 x4接口，符合NVMe规范协议，内嵌SLC缓存，单面M.2 2280规格形态，适合移动电脑办公需求。

铠侠 2017-05-31
Intel企业级DC P4501系列
Intel企业级DC P4501系列

P4501系列SSD符合NVMe 1.2规范协议，采用PCIe 3.1 x4接口，提供500GB、1TB、2TB、4TB容量选择。

英特尔 2017-05-31

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厂商快讯

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⊙06-30 14:58

江波龙宣布已建设完成mSSD月产能百万级交付能力，具备稳定且规模化量产交付条件，可充分匹配市场增量需求，后续产能仍具备持续扩容、翻倍释放的空间。

⊙06-29 17:26

SK海力士制定总额达1100万亿韩元（约合7130亿美元）的中长期投资战略，以应对全球AI存储器的快速增长需求。该战略将分阶段在龙仁投资600万亿韩元、清州投资100万亿韩元、西南地区投资400万亿韩元。

原计划于2045年竣工的龙仁半导体产业集群，其第四座晶圆厂的完工时间将提前12年至2033年；

SK海力士将在清州投资100万亿韩元（约合648亿美元），扩大NAND闪存产能。这是自2018年M15工厂建成以来，SK海力士在该厂区首次进行重大NAND产能扩张。该投资将用于建设新的NAND闪存晶圆厂、安装生产设备以及扩大用于HBM后端加工的先进封装能力。SK海力士计划将清州进一步发展成为涵盖NAND、HBM和先进封装的综合制造中心；

SK海力士计划投资400万亿韩元（约合2593亿美元）在西南地区打造新的半导体产业集群。该投资将分阶段进行，涵盖土地购置、晶圆厂建设和生产设备安装。

⊙06-29 15:55

据韩媒报道，三星电子详细阐述了其价值2655万亿韩元的集团国内投资计划。该计划的核心是扩大全国范围内的生产基地，重点发展人工智能（AI）半导体、机器人、电池以及IT组件和材料。据悉，三星正投资2030万亿韩元用于培育半导体产业集群，其中包括平泽园区和龙仁国家工业园区，并计划在湖南、忠清和岭南地区投资625万亿韩元，重点发展人工智能半导体、机器人、电池以及IT组件和材料。具体来看，为积极应对湖南地区半导体市场爆炸式增长的需求，三星计划投资总计425万亿韩元，其中400万亿韩元将用于半导体领域的投资。三星电子正致力于在光州建设一座新的半导体制造厂，并打造一个基于数字孪生技术的创新中心。三星电子将在忠清地区投资总计140万亿韩元，其中关键项目是在天安和温阳建设高带宽内存（HBM）晶圆厂。三星计划在岭南地区投资60万亿韩元。该公司旨在通过将人工智能转型（AX）和机器人转型（RX）融入其核心制造领域，将其现有制造业转型为高科技产业。

⊙06-26 16:51

深圳市时创意电子股份有限公司创业板IPO申请已获受理，保荐机构为中信证券。时创意拟公开发行A股数量不超过1.16亿股，计划募集资金18.42亿元，募集资金将投向半导体存储器扩产、研发中心扩建及补充流动资金三个项目。

⊙06-26 10:26

针对“6月25日7时30分左右发生在日本东北地区的地震”，铠侠最新回应称，经确认，其北上工厂的建筑物和设施未受损，北上工厂的生产活动照常进行。

⊙06-25 17:47

美光在其最新业绩会议上透露，其从力积电手中收购的苗栗铜锣一厂预计将于 2027 年中开始贡献有意义的 DRAM 出货，较此前预期提前 1 个季度。而在洁净室约 28000m² 的铜锣一厂旁边，洁净室面积约 25000m² 的美光铜锣二厂也已启动建设。这座新晶圆厂将支持 EUV 光刻图案化设备，面向 1γ、1δ 乃至此后的先进 DRAM 制程工艺。

⊙06-25 16:46

随着AI大模型参数量的不断膨胀，业界对HBM（高带宽内存）的堆叠层数需求正逼近物理极限。然而，芯片越堆越高，随之而来的“积热”问题便成了制约性能释放的最大瓶颈。近日，三星电子用一项重磅研究给出了破局方案：其研究团队首次通过量化数据证实，在下一代HBM封装中采用的混合铜键合（HCB）技术，在热管理上全面优于传统的热压接合（TCB）。

⊙06-25 11:54

美光预计DRAM和NAND的供需状况将在2027年以后继续保持紧张。受限于新建晶圆厂漫长的建设周期、关键技工短缺、复杂的法规审批以及HBM对常规产能的持续挤压，行业供应紧张的局面预计将持续至2027年之后，直到2028年才会逐步改善。

⊙06-25 11:53

美光2026财年第三财季（截至2026年5月28日）实现营收414.56亿美元，同比大增346%，环比大增74%；Non-GAAP下，营业利润336.81亿美元，同比暴增12.5倍，环比增长105%；净利润288.57亿美元，同比暴增12.2倍，环比增长106%。调整后每股收益（EPS）达25.11美元，远超分析师预期的20.49美元；调整后毛利率达84.9%。

⊙06-25 10:16

长电科技公告称，拟通过设立控股子公司，在上海临港新片区建设高端先进封测工厂，项目总投资78亿元，注册资本预计40亿元。项目分两期建设，其中一期涵盖厂房建设、装修及设备投资等，计划于2028年下半年完成。

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