Solidigm以技术为导向,以客户为灵感。Solidigm带来创新的、改变行业的数据存储解决方案,改变数据的使用和体验方式。Solidigm对客户成功的卓越承诺增强实现目标和改变世界的能力。
基于144层SLC 3D NAND构建的PCIe Gen 4.0 驱动器,适用于数据中心市场。
D5-P5430 可以将典型对象存储解决方案的TCO降低多达 27%,存储密度提高1.5倍,能源成本降低18%。
P44 Pro采用PCIe 4 x 4 接口,NVMe 1.4规范,144 层 3D TLC,提供 512GB、1TB 和 2TB 三种容量选择。
采用144层3D NAND,M.2 2280外形规格,提供512GB、1TB和2TB三种容量选择。
美国投资基金贝恩资本2月17日和2月19日出售约3900万股铠侠股票,按公司收盘价和每股售价计算,总价值约5500亿日元(约合35.1亿美元)。交易完成后,贝恩资本关联特殊目的公司(SPC)的总持股比例从44%降至37%。
美光宣布推出24Gb(3GB)GDDR7 DRAM新品,数据速率32Gb/s,系统带宽1.5TB/s,较GDDR6提升60%。该产品为业界首款采用PAM3三阶信号处理的DRAM,相比GDDR6的NRZ技术,每周期编码信息提升1.5倍,兼顾电压余量与低功耗,同时具备RAS高可靠特性,覆盖游戏、HPC、VR、边缘AI推理等多元场景。
当地时间2月25日,三星电子在旧金山举行Galaxy S26系列新品发布会,正式推出Galaxy S26系列三款智能手机。三款机型均搭载Gemini智能体,同时保留Perplexity网络查询引擎及三星自研大模型驱动的设备端助理Bixby。三星电子还在发布会上首次公开展示由谷歌Gemini驱动的手机AI智能体,该智能体可自主完成点外卖、叫车等跨应用操作。价格方面,基础款S26和S26+起售价均较前一代提价100美元,分别达到899和1099美元,旗舰Galaxy S26 Ultra的起售价维持在1299美元。
SK海力士宣布,将投资约21.6万亿韩元(约合150亿美元)用于建设龙仁半导体集群首个晶圆厂,预计将于2030年12月底竣工,首个洁净室的启用时间预计将从5月提前至2027年2月。这将使首个晶圆厂的建设总投资达到约31万亿韩元(约合215亿美元),其中包括此前于2024年7月宣布的约9.4万亿韩元(约合65亿美元)的设施投资。预计龙仁半导体产业集群的投资规模将较之前水平大幅增长。
SK海力士26日宣布,已与闪迪公司联合举办“HBF规格标准化联盟启动会”,正式发布面向AI推理时代的下一代存储器解决方案HBF(High Bandwidth Flash)的全球标准化战略。HBF不仅可提升AI系统的扩展能力,还能有效降低总体拥有成本(TCO)。业界普遍预测,以HBF为关键组件的整合型存储器解决方案,其市场需求将于2030年前后迎来全面扩张。
三星电子日前于ISSCC 2026上发布其LPDDR6研发成果,其最大传输速度可达14.4Gb/s。与上一代LPDDR5X(最大传输速度10.7Gb/s)相比,速度提升约35%。此外,三星电子着重提升了能效,与LPDDR5相比,LPDDR6读取功耗降低27%。在最低电压(0.97V)下,其传输速度可达12.8Gb/s,并通过结构优化,增强了在实际使用环境中的稳定性。LPDDR6预计将于今年下半年上市。
SK海力士近日在高盛电话会上释放强烈信号:存储行业已全面进入卖方市场。公司透露,目前DRAM及NAND库存仅剩约4周,且没有任何客户能完全满足需求,受AI真实需求爆发及洁净室空间受限等供给刚性约束影响,2026年存储芯片价格将持续上涨。为满足AI带动的强劲需求,SK海力士将产能向HBM、DDR5等高附加值产品倾斜,其2026年HBM产能已提前售罄。
三星昨日官宣其Galaxy Book6系列将于3月11日在美国发售,包括Galaxy Book6 Ultra、Galaxy Book6 Pro和Galaxy Book 6。Galaxy Book6系列搭载Intel Core Ultra Series 3处理器——首款基于英特尔18A 架构的客户端SoC,确保了高效高速的CPU、GPU和NPU性能 ,从而实现快速处理、流畅的多任务处理和更灵敏的AI响应。其中,16英寸的Galaxy Book 6 Pro首次采用了均热板散热技术,Galaxy Book6 Ultra和Pro配备了三星迄今为止续航时间最长的电池,视频播放时间长达30小时。
2月24日,铠侠于官网宣布为下一代移动应用提供UFS 5.0嵌入式闪存样品。UFS 5.0采用MIPI M-PHY 6.0物理层与UniPro 3.0协议层,支持高达46.6Gbps的单通道接口速度,双通道模式可实现约10.8 GB/s的有效读写性能。评估样品基于公司为UFS 5.0自主研发的主控和铠侠第八代BiCS FLASH™闪存,容量可选512GB和1TB,封装为7.5x13毫米尺寸的全新设计,有助于提高电路板空间利用率和设计灵活性。
据韩媒报道,业内人士透露,三星电子内部已实现1c DRAM 80%的良率,这是在高温环境下(热测试)取得的最高良率,并进一步表示,基于1c DRAM的HBM4的良率也有所提高,已接近60%,去年第四季度约为50%。
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