康盈半导体(KOWIN)

康盈半导体专注于嵌入式存储芯片、模组、移动存储等产品的研发、设计和销售。主要产品涵盖eMMC、eMMC工业级、Small PKG. eMMC、eMCP、ePOP、nMCP、UFS、MRAM、SPI NAND、LPDDR、 DDR、SSD、PSSD、Memory card 、内存条等。广泛应用于智能终端、智能穿戴、智能家居、物联网、网络通信、工控设备、车载电子、智慧医疗等领域。

康盈半导体存储产品

康盈SATA SSD（2.5 inch）
康盈SATA SSD（2.5 inch）

提供多种存储容量：128GB-1TB，可满足存储和硬盘升级需求。

康盈半导体 2023-08-01
康盈CFexpress Card
康盈CFexpress Card

可提供高达1700MB/秒的读取速度和高达1500MB/秒的写入速度，降低高速拍摄时的延迟。

康盈半导体 2023-08-01
康盈SO-DIMM（DDR4）
康盈SO-DIMM（DDR4）

采用优质DRAM资源，符合JEDEC标准；性能稳定，兼容性强，低延迟。

康盈半导体 2023-08-01
康盈UDIMM（DDR4）
康盈UDIMM（DDR4）

采用优质DRAM资源，符合JEDEC标准；性能稳定，兼容性强，低延迟。

康盈半导体 2023-08-01
康盈SPI NAND工业级
康盈SPI NAND工业级

通用SPI接口，带有内部ECC，使其在满足数据传输效率的同时，保证数据可靠性。

康盈半导体 2023-08-01
康盈LPDDR工业级
康盈LPDDR工业级

最高数据传输速率可达1.666Mbps，可提高系统运行的流畅性。

康盈半导体 2022-09-01
康盈ePOP
康盈ePOP

集成了eMMC和LPDDR，减少系统开发时间，降低PCB设计难度。

康盈半导体 2022-03-01
康盈nMCP
康盈nMCP

集成SLC NAND和LPDDR4X，减少系统PCB开发时间。

康盈半导体 2022-03-01
康盈eMCP
康盈eMCP

具有高集成度的优势，节省PCB面积，解决空间不足问题，助力产品轻薄化。

康盈半导体 2022-03-01
康盈UFS
康盈UFS

采用3D NAND FLASH，大幅度提高容量密度，容量可达256GB。

康盈半导体 2022-01-01
康盈LPDDR
康盈LPDDR

涵盖LPDDR3商业级和LPDDR4/4x产品，最高数据传输速率可达4,266Mbps。

康盈半导体 2021-06-01
康盈DDR
康盈DDR

符合JEDEC标准，产品容量多样，满足多种容量需求，性能稳定，兼容性强。

康盈半导体 2021-06-01
康盈Small PKG.eMMC
康盈Small PKG.eMMC

兼容JEDEC eMMC5.1规范并支持HS400高速模式。

康盈半导体 2020-11-01
康盈eMMC（工业级）
康盈eMMC（工业级）

通过苛刻环境的高可靠性测试和老化测试，能承受-40°C-85°C的作业环境

康盈半导体 2020-09-01
康盈PCIe 3.0x4 DRAM-less SSD
康盈PCIe 3.0x4 DRAM-less SSD

连续读取速度为3,500MB/S，连续写入速度为3,000MB/s。

康盈半导体 2020-03-01

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厂商快讯

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⊙01-14 10:21

1月13日，佰维存储发布公告，预计2025年度实现营业收入100亿元-120亿元，同比增长49.36%-79.23%；预计2025年度归母净利润8.5亿元-10亿元，同比增长427.19%-520.22%。

⊙01-13 17:15

希捷正式推出三款 32TB CMR 机械硬盘，覆盖企业级 Exos 银河、监控 SkyHawk 酷鹰 AI、NAS 存储 IronWolf 酷狼 Pro 三条产品线。以上三款产品均基于希捷Mozaic HAMR（热辅助磁记录）技术平台，并针对应用场景进行了优化。

⊙01-13 10:09

据韩媒报道，三星电子正在评估韩国SNS Tech公司提供的EUV空白掩模，目标是在第二季度投入使用。目前正处于掩模评估的最后阶段，目标是在本月或下个月完成评估。三星电子一直以来都依赖进口EUV光刻掩模版，对日本的依赖程度尤其高，Hoya和Asahi Glass占据了三星大部分的供应。

⊙01-12 10:17

通富微电公告，拟定增募资资金总额不超过44亿元，募集资金扣除发行费用后拟用于存储芯片封测产能提升项目、晶圆级封测产能提升项目、高性能计算及通信领域封测产能提升项目，分别投入募集资金8亿元、10.55亿元、6.95亿元和6.2亿元。此外计划将12.3亿元用于补充流动资金及偿还银行贷款。

⊙01-09 16:18

群联2025年12月合并营收87.12亿元（新台币，下同），环比增长24％，同比增长93％，刷新历史单月新高；全年合并营收达726.64亿元，同比增长23％，同创历史同期新高。群联表示，上月整体营运表现持续升温，控制芯片总出货量年增97％。其中，PCIe SSD控制芯片出货量同比增长15％，显示新一代高速接口渗透率持续扩大；NAND Bit Growth同比增长16％，凸显云端服务商拉货带动NAND需求走扬，并衍生近期NAND涨价与供给吃紧的市况。

⊙01-09 15:25

力成2025年12月营收72.96亿元（新台币，下同），环比增长2.19%，同比增长30.52%，创2022年8月以来单月高点；2025年第四季营收214.07亿元，环比增长7.21%，同比增长25.21%；累计2025年全年营收749.29亿元，同比增长2.20%，创下三年来新高纪录。

⊙01-08 18:12

高通首席执行官安蒙确认，高通确认正与三星电子就2纳米芯片代工合作进行洽谈，三星将有望时隔五年再次获得高通最先进芯片的代工订单，相关芯片设计工作已全部完成。首个合作项目可能是将目前骁龙8 Elite处理器（由台积电3纳米制程代工），转向三星2纳米制程生产。

⊙01-08 14:30

美光宣布，将于2026年1月16日正式在纽约州奥农达加县破土动工兴建其巨型晶圆厂。该项目耗资1000亿美元，是纽约州历史上规模最大的私人投资项目，建成后将成为全球最先进的存储器制造基地，美国最大的半导体工厂。

⊙01-08 10:49

美光宣布推出美光3610 NVMe™ SSD，是业界首款面向客户端计算的PCIe®5.0 QLC SSD，基于久经市场考验的美光G9 NAND 打造，顺序读取速率高达11,000 MB/s，顺序写入速率高达9,300 MB/s，专为主流台式机和笔记本电脑设计。

⊙01-08 10:05

三星电子公布其2025年第四季度的盈利预期，预计营收为93万亿韩元（约合641亿美元），环比增长8%，同比增长23%；营业利润为20万亿韩元（约合138亿美元），环比增长64%，同比增长208%，创历史新高。三星电子将于1月29日披露完整版业绩报告。

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