康盈LPDDR

涵盖LPDDR3商业级和LPDDR4/4x产品，最高数据传输速率可达4,266Mbps。

产品分类：内存芯片 品牌：康盈半导体
应用领域： 智能产品 网通
产品白皮书 发布于：2021-06-01
康盈LPDDR 共17个产品
型号 版本类型 容量 传输速率 I / O 封装规格 尺寸 工作电压
KAL3S3C55FN2 LPDDR3 8Gb 1866 Mbps x32 178Ball FBGA 11.0mm x 11.5mm x 1.0mm 1.8V/1.2V
KAL3S4C55FN2 LPDDR3 16Gb 1866 Mbps x32 178Ball FBGA 11.0mm x 11.5mm x 1.0mm 1.8V/1.2V
KAL4H1M31AS2 LPDDR4/4X 2Gb 3733 Mbps x16 200Ball FBGA 10.0mm x 15.0mm x 1.0mm 1.8V/1.1V
KALXH1M32AX2 LPDDR4/4X 2Gb 3733 Mbps x16 200Ball FBGA 10.0mm x 15.0mm x 1.0mm 1.8V/1.1V/0.6V
KAL4H2M41AS2 LPDDR4/4X 4Gb 3733 Mbps x32 200Ball FBGA 10.0mm x 15.0mm x 1.0mm 1.8V/1.1V
KALXH2M42AX2 LPDDR4/4X 4Gb 3733 Mbps x32 200Ball FBGA 10.0mm x 15.0mm x 1.0mm 1.8V/1.1V/0.6V
KAL4H3M41AS2 LPDDR4/4X 8Gb 3733 Mbps x32 200Ball FBGA 10.0mm x 15.0mm x 1.0mm 1.8V/1.1V
KALXH3M42AX2 LPDDR4/4X 8Gb 3733 Mbps x32 200Ball FBGA 10.0mm x 15.0mm x 1.0mm 1.8V/1.1V/0.6V
KALXM3S33AA2 LPDDR4/4X 8Gb 4266 Mbps x16 200Ball FBGA 10.0mm x 14.5mm x 1.0mm 1.8V/1.1V/0.6V
KALXXSS43AZ2 LPDDR4/4X 12Gb 3733 / 4266 Mbps x32 200Ball FBGA 10.0mm x 14.5mm x 1.0mm 1.8V/1.1V/0.6V
KALXM4S33AA2 LPDDR4/4X 16Gb 4266 Mbps x16 200Ball FBGA 10.0mm x 14.5mm x 1.0mm 1.8V/1.1V/0.6V
KALXX4S43AY2 LPDDR4X 16Gb 3733 / 4266 Mbps x32 200Ball FBGA 10.0mm x 14.5mm x 1.0mm 1.8V/1.1V/0.6V
KALXXTS43AY2 LPDDR4X 24Gb 3733 / 4266 Mbps x32 200Ball FBGA 10.0mm x 14.5mm x 1.0mm 1.8V/1.1V/0.6V
KALXX5S43AY2 LPDDR4X 32Gb 3733 / 4266 Mbps x32 200Ball FBGA 10.0mm x 14.5mm x 1.0mm 1.8V/1.1V/0.6V
KALXX4S43AX2 LPDDR4X 16Gb 3733 / 3200 Mbps x32 200Ball FBGA 10.0mm x 15.0mm x 1.0mm 1.8V/1.1V/0.6V
KALXXTS43AX2 LPDDR4X 24Gb 3733 / 3200 Mbps x32 200Ball FBGA 10.0mm x 15.0mm x 1.0mm 1.8V/1.1V/0.6V
KALXX5S43AX2 LPDDR4X 32Gb 3733 / 3200 Mbps x32 200Ball FBGA 10.0mm x 15.0mm x 1.0mm 1.8V/1.1V/0.6V

产品概览

康盈LPDDR产品涵盖LPDDR3商业级和LPDDR4/4x产品，最高数据传输速率可达4,266Mbps，具备低延时，低功耗等特性，可提高系统运行的流畅性。

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1月13日，佰维存储发布公告，预计2025年度实现营业收入100亿元-120亿元，同比增长49.36%-79.23%；预计2025年度归母净利润8.5亿元-10亿元，同比增长427.19%-520.22%。

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据韩媒报道，三星电子正在评估韩国SNS Tech公司提供的EUV空白掩模，目标是在第二季度投入使用。目前正处于掩模评估的最后阶段，目标是在本月或下个月完成评估。三星电子一直以来都依赖进口EUV光刻掩模版，对日本的依赖程度尤其高，Hoya和Asahi Glass占据了三星大部分的供应。

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⊙01-09 15:25

力成2025年12月营收72.96亿元（新台币，下同），环比增长2.19%，同比增长30.52%，创2022年8月以来单月高点；2025年第四季营收214.07亿元，环比增长7.21%，同比增长25.21%；累计2025年全年营收749.29亿元，同比增长2.20%，创下三年来新高纪录。

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高通首席执行官安蒙确认，高通确认正与三星电子就2纳米芯片代工合作进行洽谈，三星将有望时隔五年再次获得高通最先进芯片的代工订单，相关芯片设计工作已全部完成。首个合作项目可能是将目前骁龙8 Elite处理器（由台积电3纳米制程代工），转向三星2纳米制程生产。

⊙01-08 14:30

美光宣布，将于2026年1月16日正式在纽约州奥农达加县破土动工兴建其巨型晶圆厂。该项目耗资1000亿美元，是纽约州历史上规模最大的私人投资项目，建成后将成为全球最先进的存储器制造基地，美国最大的半导体工厂。

⊙01-08 10:49

美光宣布推出美光3610 NVMe™ SSD，是业界首款面向客户端计算的PCIe®5.0 QLC SSD，基于久经市场考验的美光G9 NAND 打造，顺序读取速率高达11,000 MB/s，顺序写入速率高达9,300 MB/s，专为主流台式机和笔记本电脑设计。

⊙01-08 10:05

三星电子公布其2025年第四季度的盈利预期，预计营收为93万亿韩元（约合641亿美元），环比增长8%，同比增长23%；营业利润为20万亿韩元（约合138亿美元），环比增长64%，同比增长208%，创历史新高。三星电子将于1月29日披露完整版业绩报告。

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