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Sandisk（原西部数据闪存业务）已完成与西部数据的分离，为独立的上市公司，股票代码为“SNDK”。Sandisk提供创新的闪存解决方案和先进的存储技术，满足人们和企业在理想与现实之间的交汇点，使他们能够不断前进并推动可能性向前发展。

闪迪存储产品

西部数据iNAND MC EU551

采用96层3D NAND，适用于5G智能手机，可提供128G、256G和512G三种容量选择。

闪迪 2021-06-24

西部数据iNAND MC EU521

采用主流的96层3D NAND，并充分利用UFS 3.1高带宽以及SLC NAND缓存，可提供最高800MB/s的顺序写入速度。

闪迪 2020-03-02

WD iNAND AT EM132

采用64层3D TLC，符合e.MMC 5.1标准，提供32GB-256GB容量。

闪迪 2019-05-09

WD iNAND MC EU511

采用96层3D NAND，支持UFS 3.0 Gear 4/2 Lane规格，提供64GB-512GB容量选择。

闪迪 2019-02-22

WD iNAND IX EU312

基于3D NAND架构，最高读取速度可达750 MB/s ，最高写入速度可达320 MB/s。

闪迪 2018-10-24

WD iNAND MC EU321

采用3D TLC，符合UFS 2.1接口协议，提供16-256GB容量选择。

闪迪 2018-10-19

WD iNAND MC EU321

采用了96层3D NAND技术，符合UFS 2.1协议规范，提供32GB-256GB容量选择。

闪迪 2018-10-10

Sandisk iNAND 8521系列

提供32GB-256GB容量，采用UFS 2.1接口和第五代SmartSLC新技术提供加倍的连续写入速度。

闪迪 2017-12-05

Sandisk iNAND 7550系列

32GB-256GB容量选择，eMMC 5.1规范，提供260MB/s连续写入性能。

闪迪 2017-12-05

Sandisk iNAND 7250A系列

专为汽车领域存储设计，满足汽车最新驾驶辅助系统、信息娱乐、安全系统等存储需求。

闪迪 2017-05-05

Sandisk iNAND 7350系列

采用先进的3D NAND Flash，符合eMMC5.1规范协议，提供32GB~256GB容量，适用于智能手机、平板等设备中。

闪迪 2017-02-27

Sandisk iNAND 7232系列

采用先进的15nm TLC工艺，符合eMMC5.1规范标准，提供32GB-128GB容量，适用于高端智能手机、平板等设备中。

闪迪 2015-07-14

Sandisk iNAND 7030系列

采用先进的A19nm工艺，符合eMMC5.0规范标准，提供16GB-128GB容量，适用于智能手机、平板等设备中。

闪迪 2015-06-17

Sandisk iNAND 7132系列

采用先进的1ynm X3工艺，符合eMMC5.0规范标准，提供16GB-64GB容量。

闪迪 2015-03-24

Sandisk iNAND 5130系列

采用先进的1ynm工艺，符合eMMC5.0规范标准，提供8GB-64GB容量，适用于智能手机、平板等设备中。

闪迪 2015-03-20

报价中心

厂商快讯

⊙04-01 09:57

德明利发布2026年第一季度业绩预告。公司预计2026年第一季度营收为73亿元-78亿元，同比增长483.05%-522.98%；归属于上市公司股东的净利润为31.5亿元-36.5亿元，上年同期亏损6908.77万元；扣除非经常性损益后的净利润为31.4亿元-36.4亿元，上年同期亏损7495.86万元。报告期内，在供应偏紧的背景下，行业景气度持续上行，存储价格持续上涨，公司依托前期充足的原材料战略储备，盈利能力持续改善，利润水平大幅提高。

⊙04-01 09:32

3月31日，铠侠再次向客户发出通知，宣布将于2028年停止生产部分浮栅式（Floating Gate）和BiCS FLASH™ Gen3产品。具体涉及的产品包括基于32/24/15nm制程（SLC/MLC/TLC）的浮栅式和BiCS FLASH™ Gen3晶圆、BGA、TSOP、eMMC、UFS、普通SD。铠侠表示，最后采购预测（即客户最后一次下单数量）期限为2026年9月30日，最后出货时间为2028年12月31日。此前，铠侠曾于3月16日向客户宣布停产采用“薄型小尺寸封装”（TSOP）的MLC NAND闪存产品。

⊙03-31 10:58

据韩媒报道，美光已启动一项全新研发计划，旨在开发一款垂直堆叠结构的GDDR内存产品，通过类似HBM的垂直堆叠技术，大幅提升传统显存的性能与容量。这一创新设计有望在标准GDDR与高端HBM之间开辟一条新的技术路径，满足市场对高性能、低成本内存解决方案的迫切需求。据悉，美光计划在今年下半年完成相关设备的安装并进入工艺测试阶段。目前初步确定的方案是进行4层GDDR芯片的垂直堆叠，若进展顺利，首批测试样品最快将于2027年亮相。

⊙03-30 10:31

据韩媒报道，三星电子位于中国西安的NAND晶圆厂近期成功完成工艺制程升级，实现了236层堆叠的第八代V-NAND (V8 NAND)的量产。本次制程升级始于2024年，旨在改造原有的V6 (128L) NAND，以提升产品性能与生产效率，增强产能竞争力，满足AI时代对高性能存储设备的需求。三星西安晶圆厂的下一步瞄准了286层堆叠的V9 NAND，相关生产线将位于X2工厂，计划在2026年内完成过渡并实现量产。

⊙03-25 16:39

佰维存储（688525）3月25日公告，公司与某存储原厂签订15亿美元采购合同，为期24个月（2026年二季度至2028年一季度），标的为特定存储晶圆。合同金额超公司2025年营收与总资产的50%，达到重大合同披露标准。公司表示，此举旨在锁定中长期晶圆供应，稳定采购成本，助力业务稳健发展。

⊙03-24 17:11

据外媒报道，SK海力士将引进价值约12万亿韩元（约合554亿元人民币）、占总资产9.97%的极紫外光刻（EUV）设备，用于下一代DRAM和高带宽存储器（HBM）量产。设备计划从本月起至明年底分期引进，每台设备分次付款。EUV由荷兰ASML独家生产，波长仅为传统ArF光源的1/13，是实现超精细工艺的关键设备，最新款单价约3000亿韩元。相关设备将陆续导入正在建设的清州M15X晶圆厂及龙仁半导体集群首座工厂，后者预计在明年2月洁净室启用后开始设备引进。

⊙03-23 11:41

据外媒报道，三星电子即将启动8英寸（200毫米）氮化镓（GaN）功率半导体代工厂的运营，最快于2026年第二季度实现全面投产。该代工厂采用交钥匙服务模式，不涉及芯片设计环节，三星已建立相应的GaN解决方案体系，并具备自产外延晶圆的能力。据行业消息，该氮化镓代工厂初期营收规模预计在1000亿韩元（约合4.62亿元人民币）以内。

值得注意的是，台积电此前已宣布计划于2027年终止氮化镓晶圆生产，而三星半导体最初在2023年宣布2025年投产该业务，实际进度有所延迟。除氮化镓外，三星电子还计划推进碳化硅（SiC）功率半导体晶圆代工业务，两者可在不同耐压区间形成互补。

⊙03-19 18:07

三星电子宣布，已与AMD签署谅解备忘录 (MOU)，以扩大双方在下一代AI内存和计算技术方面的战略合作。根据该谅解备忘录，三星和AMD将在下一代AMD AI加速器、AMD Instinct MI455X GPU的主要HBM4供应以及代号为“Venice”的第六代AMD EPYC CPU的先进DRAM解决方案方面达成一致。这些技术将支持结合AMD Instinct GPU、AMD EPYC CPU和机架式架构（例如AMD Helios平台）的下一代AI系统。三星和AMD还将共同研发针对第六代AMD EPYC处理器的高性能DDR5内存。

⊙03-19 18:07

据韩媒报道，三星电子工会宣布集体斗争行动议案以93.1%的赞成率获得通过，将于5月举行总罢工。分析指出，罢工一旦实施，平泽厂区约一半产能将受冲击，直接影响DRAM与NAND闪存芯片的产能释放。

⊙03-19 14:45

美光科技近日在GTC 2026上宣布，已于2026年第一季度开始批量出货专为NVIDIA Vera Rubin平台设计的HBM4 36GB 12H显存。该产品数据传输速率超过11 Gb/s，提供超过2.8 TB/s的带宽，较上一代HBM3E带宽提升2.3倍，能效提升20%。此外，美光已向客户交付HBM4 48GB 16H样品，单颗容量提升33%。

同时，美光推出业界首款量产的PCIe Gen6数据中心SSD（Micron 9650），顺序读取速度达28 GB/s，性能为Gen5两倍，并针对NVIDIA BlueField-4架构优化。专为Vera Rubin设计的192GB SOCAMM2内存也已量产，支持高达2TB内存容量和每CPU 1.2 TB/s带宽。