Sandisk iNAND Standard系列

提供8GB、16GB存储容量，采用X3/TLC Flash技术，且符合e.MMC 4.51+ HS200规范。

产品分类：嵌入式 品牌：闪迪
应用领域： 移动存储 平板电脑 智能产品 智能手机
产品白皮书 发布于：2014-05-27
Sandisk iNAND Standard系列 共2个产品
系列 容量 NAND Flash 规范 速度(读) 速度(写) 随机读取 随机写入 尺寸
iNAND Standard 8GB X3/TLC Flash eMMC 4.51 最高100MB/秒 最高4.5MB/秒 最高3K IOPS 最高100 IOPS 11.5mmx13mmx1.0mm
iNAND Standard 16GB X3/TLC Flash eMMC 4.51 最高100MB/秒 最高7.5MB/秒 最高3K IOPS 最高200 IOPS 11.5mmx13mmx1.0mm

产品概览

iNAND Standard是SanDisk推出的第四代eMMC解决方案，存储容量为8GB、16GB，采用自2010年开发的X3/TLC NAND Flash技术打造，且符合高速e.MMC 4.51+ HS200规格，提供反应快速、品质可靠的平价、储存产品。
iNAND Standard是SanDisk针对移动市场的全系列嵌入式解决方案系列产品之一，适用于板电脑、智能手机、电子书阅读器、个人媒体播放机等移动设备，具备更快的反应能力、强化多工处理功能和浏览效能、延长电池续航力，以及提升使用者体验。

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⊙04-30 18:46

日月光投控财务长董宏思于法说会上表示，AI浪潮强劲，先进封测增长动能明显优于预期，再次上调今年先进封测业务展望，预估今年相关营收将突破35亿美元，调幅约一成，并较去年同期翻倍。为应对市场需求，日月光投控再次调升今年资本支出，由此前的70亿美元，提高至85亿美元，增幅超20%。

⊙04-30 10:45

4月30日，三星电子发布2026年一季度财报。数据显示，2026年第一季度（1-3月）营收为133.9万亿韩元(约合901亿美元)，环比增长43%，同比增长69%；经营利润57.2万亿韩元(约合385亿美元)，环比增长184.6% ，同比增长7.5倍；净利润47.2万亿韩元(约合318亿美元)，环比增长140.5%，同比增长4.8倍。该季度三星电子营收及营业利润均创历史新高。其中，Q1存储业务营收为74.8万亿韩元(约合503亿美元)，环比增长101%，同比增长292%。得益于存储器市场的技术领先地位以及更高的平均售价 (ASP)，存储器业务季度营收及营业利润也均创历史新高。三星电子表示，一季度三星HBM的销量比去年同期增长了三倍以上，从2026年第二季度开始，公司计划向主要客户提供其第七代HBM（HBM4E）原型产品，预计HBM4的销量从第三季度开始将占HBM总销量的一半以上。

⊙04-30 10:40

慧荣科技发布Q1财务业绩后，股价飙升。截至当地时间4月29日收盘时，公司每股上涨68.32美元，涨幅达45.8%，最新市值73.91亿美元。

⊙04-29 16:16

慧荣科技公布2026年第一季度（截至2026年3月31日）财报：营收3.42亿美元，环比增长23%，同比增长105%，创历史新高；GAAP下，毛利率47.1%，净利润6,680万美元，环比增长39.9%，同比增长243.27%；非GAAP下，毛利率47.2%，净利润5,385万美元，环比增长26.1%，同比增长165.6%。

展望后市，慧荣看好嵌入式、车用与企业级产品线持续成长，加上新一代PCIe Gen5控制芯片、车用存储与AI相关解决方案陆续放量，预期第二季营收达3.93亿美元至4.11亿美元，环比增长15%至20%，同比增长98%至107%，全年营运有望呈现逐季成长。

⊙04-28 17:57

据外媒报道，三星电子正加速推进位于平泽园区的第四工厂（P4）量产时间。该厂投资规模达50万亿韩元，公司有望通过“临时使用许可”机制，将P4的全面爬坡时间较原定进度提前6个月，力争2026年年内全面启动。

⊙04-28 09:22

江波龙公布2026年一季度报告。2026年第一季度，公司实现营业收入99.09亿元，同比增长132.79%；实现归属于上市公司股东的净利润38.62亿元，同比增长2,644.05%；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润39.43亿元，同比增长 2,051.40%。

⊙04-27 09:18

据韩媒报道，三星电子已生产出适用于10纳米以下DRAM工艺的可用工作晶圆。业内人士透露，三星在上个月采用其10a工艺制造的晶圆测试中，确认了一颗可用的晶圆，体现了4F²单元架构和垂直通道晶体管（VCT）结构的首次应用。据悉，三星的目标是在今年完成10a DRAM的开发，明年进行质量测试，并在2028年实现量产。该公司计划在10a、10b 和10c三代产品中使用 4F² 和 VCT 结构，然后在10d代转向3D DRAM。

⊙04-24 16:26

据亚洲日报报道，SK海力士在TSMC主办的技术活动中，重点介绍了AI时代的核心组件HBM4，强调了从HBM4开始采用TSMC的先进逻辑工艺生产“基底芯片”的变化，计划在2026年量产HBM4。两家公司在部件供应和定制HBM市场多方面展开战略合作。SK海力士计划结合台积电的“CoWoS”技术和自身HBM技术，提供符合全球大科技公司需求的解决方案。

⊙04-24 10:14

铠侠推出面向PC OEM厂商的BG8系列SSD，采用第八代 BiCS FLASH™ TLC 3D 闪存，与上一代产品相比，BG8 系列的顺序读取性能提高47%，顺序写入性能提高67%，随机读取性能提高 44%，随机写入性能提高30%。顺序读取速度高达 10,300 MB/s，顺序写入速度高达 10,000 MB/s，随机读取和写入性能分别高达 140 万和 130 万 IOPS。

⊙04-23 15:18

对于地缘冲突对产能的影响，SK海力士表示公司已实现原材料供应商多元化，并已确保充足的库存，因此实际影响非常有限。

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