台积电1.4nm工艺性能和良率达标,进度超预期

半导体 2026-07-17 14:13

台积电在法说会上表示,A14 研发进度完全符合规划,内部测试芯片器件性能达到目标值近 90%,256 兆位静态随机存储器(SRAM)良率接近 90%。智能手机、HPC/AI 赛道客户均展现出极高合作意愿,持续深度对接技术方案。目前,客户流片(tape-out)进度超前原定计划,预计2027年启动试产,2028年正式大规模量产。 与台积电的2纳米(N2)工艺相比,A14工艺在相同功耗下可实现10%至15%的性能提升,或在相同性能水平下降低25%至30%的功耗。芯片密度也提高了20%。此外,台积电正开发A13和A12工艺,这两种工艺是在A14工艺的基础上提供更高性能的。这两种工艺的量产目标日期均为2029年。 

简讯快报

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