机构：2026年智能手机出货或受存储芯片短缺影响下滑13%

据报道，盛美上海近日获得来自全球多家头部半导体及科技企业的多笔先进封装设备订单，涉及涂胶、显影、湿法刻蚀、去胶、清洗及电镀等多种解决方案，广泛应用于先进封装的各个制程环节。具体包括：来自新加坡某全球领先封测企业的多台晶圆级先进封装电镀及湿法设备，计划2026年Q1交付；来自中国大陆外某全球头部半导体封装厂商的一台面板级先进封装负压清洗设备，同样计划于2026年Q1交付；以及来自北美某头部科技企业的多台晶圆级先进封装湿法设备，计划于今年晚些时候交付。

魅族科技发布战略转型公告，宣布将暂停国内手机新产品自研硬件项目，并在积极接洽第三方硬件合作伙伴，同时原有业务不受任何影响。公告称，近年来国内手机市场竞争激烈程度超乎想象，很多品牌先后选择战略收缩，虽然困难重重，魅族仍尽全力拼搏，希望能保持魅族手机的正常迭代，但近来内存价格的持续暴涨让下一步新产品的正常商业化变成了不可为。

IDC最新研究成果显示，受内存芯片价格暴涨推高成本影响，全球智能手机市场将在2026年出现有史以来最大年度跌幅，出货量预期较去年的12.6亿台大幅下调至11亿台，预计同比下滑12.9%，创历史最大跌幅。为了应对不断上涨的零部件成本，智能手机制造商正在降低配置、停产入门级机型，并引导消费者转向高端设备。随着危机在2027年中期开始趋于稳定，IDC预测当年将出现1.9%的温和复苏，随后在2028年将出现更强劲的反弹，同比增长5.2%。

宇瞻执行长张家騉于法说会上表示，AI需求大量挤占产能，存储供给吃紧情况短期难解，今年看不到纾解的可能，可能要到2027年下半年才有机会改善；其中，2026年第二季将是观察终端需求能否支撑高价的关键时点。

高通宣布，前英特尔代工高管 Kevin O'Buckley 将自 3 月 2 日起出任高通全球运营与供应链执行副总裁一职，向高通执行副总裁、首席财务官兼首席运营官 Akash Palkhiwala 汇报工作。他曾在英特尔担任副总裁和晶圆代工部门的服务总经理，未来将在高通负责领全球半导体业务，涵盖制造工程、代工及供应商合作、供应链和采购等领域。

据外媒报道，Meta平台与谷歌达成数十亿美元的AI芯片交易，将从谷歌租用AI芯片用于开发新的AI模型。知情人士透露，Meta还在与谷歌商谈最早于明年为其数据中心采购TPU，目前谈判进展尚不清楚。

据外媒报道，业内消息称ASML新一代高数值孔径极紫外光刻机已准备就绪，可交付芯片制造商投入量产。目前该设备停机时间大幅减少，累计加工完成50万片硅晶圆，且能刻制出芯片电路所需的高精度图案。三大指标共同表明，设备已具备量产条件。

尽管技术就绪，芯片企业仍需2至3年测试研发，才能将其整合至量产流程。当前设备稼动率约80%，ASML计划年底前提升至90%。该设备造价约4亿美元，为初代EUV机型的两倍。

当地时间2月26日，美股三大股指走势分化。截至收盘，道琼斯指数涨0.03%，报49499.20点；标普500指数跌0.54%，报6908.86点；纳斯达克指数跌1.18%，报22878.38点。其中，大型科技股普遍收跌，英伟达跌超5%，AMD跌超3%，亚马逊、谷歌A、谷歌C均跌超1%，苹果跌0.47%、高通跌0.16%，微软涨0.28%；存储板块表现分化，闪迪涨超3%，美光跌超3%，西部数据、希捷跌超2%。

近日，广州市召开全市高质量发展大会，现场集中签约重大项目57个，协议投资总额达1305亿元。在此次签约中，广州聚焦半导体与集成电路赛道，迎来两大百亿级重磅项目落地。

其中，黄埔AI芯片高端集成电路载板项目与黄埔AI算力高端印制电路板项目双双落户黄埔区，计划总投资额均为100亿元。这两个项目的签约，将有力带动广州半导体与集成电路产业向高端化迈进，进一步夯实产业链基础，助力打造全国先进制造业基地。

日本半导体制造设备协会(SEAJ)最新数据显示，2026年1月份日本制芯片设备销售额(3个月移动平均值、包含出口)为4,275.08亿日圆，较去年同月成长2.6%，为25个月来第24度呈现增长，月销售额连续第27个月高于3,000亿日圆，连续15个月高于4,000亿日圆，创下历年同月历史新高纪录、单月历史第5高水准。与2025年12月相比，增加0.9%，连续第3个月呈现环比增长。

NAND价格高涨、市场供货持续紧缺。群联电子日前发函通知客户更新付款条件。该公司表示NAND近来价格持续增长对资金需求影响也明显提高，为取得更多稳定的货源，近期将根据不同客户的情况讨论预付款的条件。

小米集团创始人雷军近日宣布，未来五年将投入至少2000亿元人民币用于研发，重点攻坚芯片、人工智能、操作系统等底层核心技术，标志着小米在完成上一轮千亿研发后正式迈向科技“深水区”。

过去五年，小米实际投入研发1050亿元，在自研芯片等领域实现突破，去年推出首款自研3纳米芯片“玄戒O1”。新一代“玄戒O2”预计于今年9月亮相，雷军透露2026年有望在一款终端产品上实现自研芯片、自研OS及自研AI大模型的“大会师”。

美光宣布推出24Gb（3GB）GDDR7 DRAM新品，数据速率32Gb/s，系统带宽1.5TB/s，较GDDR6提升60%。该产品为业界首款采用PAM3三阶信号处理的DRAM，相比GDDR6的NRZ技术，每周期编码信息提升1.5倍，兼顾电压余量与低功耗，同时具备RAS高可靠特性，覆盖游戏、HPC、VR、边缘AI推理等多元场景。

受英伟达强劲财报及AI需求持续旺盛提振，今日亚洲科技股全线走高，MSCI亚太指数涨1%创历史新高，三星电子飙升逾5%，SK海力士涨超2%，双双创下历史新高，推动KOSPI指数涨超2%。美股方面，前一日存储板块表现分化，西部数据涨7.53%、希捷科技涨6.52%，闪迪受做空影响跌0.96%。

A股存储芯片小幅回调，兆易创新跌0.62%，澜起科技跌1.59%。业内人士虽普遍看好AI供应链前景，但部分人士对过度投资隐忧持审慎态度。

当地时间2月25日，三星电子在旧金山举行Galaxy S26系列新品发布会，正式推出Galaxy S26系列三款智能手机。三款机型均搭载Gemini智能体，同时保留Perplexity网络查询引擎及三星自研大模型驱动的设备端助理Bixby。三星电子还在发布会上首次公开展示由谷歌Gemini驱动的手机AI智能体，该智能体可自主完成点外卖、叫车等跨应用操作。价格方面，基础款S26和S26+起售价均较前一代提价100美元，分别达到899和1099美元，旗舰Galaxy S26 Ultra的起售价维持在1299美元。

当地时间2月25日，英伟达公布Q4 FY26（截至2026年1月25日）财务数据，当季营收创纪录达681.27亿美元（折合人民币约4658.05亿元），环比增长20%，同比增长73%；非GAAP下，营业利润为461.07亿美元（折合人民币约3152.47亿元），环比增长22%，同比增长81%；净利润为395.52亿美元（折合人民币约2704.29亿元），环比增长25%，同比增长79%；毛利率为75.2%，环比增长1.6个百分点，同比增长1.7个百分点。展望Q1 FY27（2026年2月-2026年4月），英伟达预计营收为764.4亿美元至795.6亿美元（折合人民币约5226.43亿元至5439.76亿元），GAAP和非GAAP毛利率预计分别为74.4%-75.4%和74.5%-75.5%。

据韩媒报道，三星将于3月停止其位于韩国华城园区12号生产线的2D NAND生产。该生产线将被改造用于生产1c DRAM，这标志着三星正式停止生产2D NAND闪存。华城园区的其他DRAM生产线也在进行改造，以生产1c DRAM。本次产线改造预计将提高华城园区整体DRAM生产效率，1c DRAM的产量将占三星DRAM总产能的较大部分。

英伟达于最新财报电话会议上宣布，已开始向部分客户交付用于下一代人工智能数据中心的 Vera Rubin 平台样品。一旦合作伙伴完成对新平台的认证与验证，便可着手部署准备工作，预计部署时间为 2026 年下半年或 2027 年初。

SK海力士宣布，将投资约21.6万亿韩元（约合150亿美元）用于建设龙仁半导体集群首个晶圆厂，预计将于2030年12月底竣工，首个洁净室的启用时间预计将从5月提前至2027年2月。这将使首个晶圆厂的建设总投资达到约31万亿韩元（约合215亿美元），其中包括此前于2024年7月宣布的约9.4万亿韩元（约合65亿美元）的设施投资。预计龙仁半导体产业集群的投资规模将较之前水平大幅增长。