展望2023年第4季，鸿海表示，业绩将显著成长，其中，消费智能产品强劲季成长，云端网络产品则季持平，电脑终端产品也是季持平，元件与其他产品则是强劲季增。

SK海力士在上月底举行的第三季度业绩电话会议上宣布，计划明年比今年增加设备投资。但解释称，由于上游需求尚未完全恢复，投资扩张将在有限范围内进行。投资集中的领域是HBM。为了增加下一代HBM3E中安装的1b制程DRAM的产量和堆叠，投资TSV技术被认为是重中之重。

原本TEL预估，半导体设备需求会在2024年初正式复苏，但在这次财报会中，常务等式川本弘表示，应该会比上次估计的时间晚3~6个月。

数据恢复公司 Attingo表示，这些SSD中使用的组件对于电路板来说太大，导致连接薄弱（即高阻抗和高温）并使其容易断裂。此外，用于连接这些组件的焊接材料很容易形成气泡并容易破裂。

报道称，三星SAINT S封装技术已经通过了验证测试。在与客户进行进一步测试后，三星将于明年推出商业服务。

具体来看，半导体芯片出口增加1.3%，以每月上旬为准，这是近14个月以来的首次正增长。另外，对华出口同比下滑0.1%，连续17个月保持减势。

由于半导体库存修正持续到今年第4季，尽管台积电10月营收表现亮眼，但台积电仍未修正全年营收展望，预估以美元计，将684.74亿至692.74亿美元，年减少8.7%至9.8%，略优于原预期的衰退一成。

十铨指出，受惠原厂减产效应，带动DRAM和NAND FLASH价格开始上涨，同时AI应用增加，可望为存储市场带来大量需求，未来需求将逐渐好转。

业内人士表示，芯片行业最早将在明年第二季度看到 DRAM 供应的增加，因为晶圆投入的增加需要三到四个月的时间才能导致芯片产量的实际增长。主要芯片制造商的 DRAM 芯片供应量将在 2024 年下半年出现大幅增长。

展望明年，兆易创新认为大体上随着减产效应的体现，供需会达到平衡的状态，大存储的价格有望延续反弹的走势，但也不太会出现暴涨暴跌的情况；利基型DRAM则会随着大存储反弹的走势，延续微弱反弹的趋势。