编辑:Andy 发布:2024-11-28 15:04
据韩媒报道,业界消息称,三星电子正在寻求将 FinFET 技术用于大规模生产10nm以下的DRAM,此举主要为了提高DRAM外围设备和核心芯片的性能。
未来DRAM的结构将转变为分别生产外围/核心芯片和存储单元芯片,然后将它们堆叠起来。FinFET技术仅应用于生产单元驱动电路区域的外围和核心芯片,DRAM存储单元使用垂直沟道晶体管 (VCT) 或埋入沟道阵列晶体管 (BCAT)。
FinFET是一种主要用于逻辑芯片生产的晶体管结构。与平面型相比,栅极和沟道之间的接触面积更大,具有提高半导体性能和减少漏电流的优点。该技术用于三星电子的14nm及以下代工工艺。
随着DRAM外围和核心的结构改为FinFET,预计芯片性能和功率效率将得得以提高。用于现有DRAM量产的BCAT具有针对DRAM优化的结构,但在逻辑芯片的量产中存在局限性。此外,随着外围核心和存储单元的分离,预计DRAM集成度可以提高。目前LPDDR5X等产品的存储单元阵列效率在50%左右。
除三星电子外,SK海力士似乎也准备推出FinFET工艺。SK海力士于今年7月发布了FinFET工艺相关经验工人的招聘启事,招聘包括FinFET器件开发、曝光、蚀刻、沉积和清洗等工艺相关的经验丰富的工人。
目前FinFET结构应用于外围和核心芯片的具体时间尚未确定,业界预测FinFET技术最早将在2027年应用于DRAM量产。
存储原厂 |
三星电子 | 55500 | KRW | -1.42% |
SK海力士 | 161100 | KRW | -4.28% |
美光科技 | 98.200 | USD | -3.54% |
英特尔 | 23.650 | USD | -1.66% |
西部数据 | 71.500 | USD | -2.08% |
南亚科 | 33.75 | TWD | -3.43% |
华邦电子 | 16.05 | TWD | -3.31% |
主控厂商 |
群联电子 | 449.5 | TWD | -1.10% |
慧荣科技 | 52.430 | USD | -1.83% |
美满科技 | 90.100 | USD | -3.26% |
点序 | 53.0 | TWD | -2.75% |
国科微 | 66.15 | CNY | -0.81% |
品牌/模组 |
江波龙 | 88.87 | CNY | +3.03% |
希捷科技 | 100.000 | USD | -1.63% |
宜鼎国际 | 227.5 | TWD | 0.00% |
创见资讯 | 92.1 | TWD | 0.00% |
威刚科技 | 87.5 | TWD | -0.23% |
世迈科技 | 17.990 | USD | -0.83% |
朗科科技 | 21.79 | CNY | -1.09% |
佰维存储 | 58.92 | CNY | -0.92% |
德明利 | 76.73 | CNY | -0.26% |
大为股份 | 11.39 | CNY | -0.35% |
封测厂商 |
华泰电子 | 35.15 | TWD | -0.99% |
力成 | 121.5 | TWD | -2.02% |
长电科技 | 38.37 | CNY | +0.55% |
日月光 | 147.0 | TWD | -2.33% |
通富微电 | 29.63 | CNY | -0.47% |
华天科技 | 11.70 | CNY | -0.93% |
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