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随着DRAM微细化的持续发展,SK海力士、三星电子等企业正积极开发并应用新型材料。特别是对于下一代光刻胶(Photoresist, PR)之一的金属氧化物光刻胶(Metal Oxide Resist, MOR)表现出了浓厚的兴趣。SK海力士在...

韩国国内半导体材料公司ENF Technology利用自有技术开发出钛蚀刻剂(Ti etchant),并已开始向全球最大的HBM制造商供应。

南亚科技表示,从市场总需求位元数来看,HBM比例低于5%,较不适合南亚科技开发竞争。但对于HBM带动存储市况及价格成长的现象,李培英表示乐观其成,并认为将持续到明年。

Sony集团社长十时裕树透露,Sony旗下以CMOS影像感测器(CIS)为主的半导体业务,在2024~2026年度(2024/4~2027/3)的3年内规划的设备投资额,将比上一个3年中期计划减少约3成。

随着AI半导体需求的增加,相关尖端工艺代工厂呈现出80-90%的高开工率。在存储市场,由于HBM等AI存储器的强劲需求,DRAM的开工率达到70-80%。NAND Fab的开工率略高于50%,由于AI需求的增加,未来预计还会上升。

韩国国会29日届期,原定今年底到期的韩国芯片法可能因两党斗争而无法及时延长,影响韩国半导体产业的投资吸引力。

联发科在手机SoC芯片领域保持技术优势,并积极拓展车用和云端市场。展望未来1-5年,除了5G旗舰芯片的持续投资,在车用、ASIC、Arm架构运算上也将有很好的进展。

累计2024年1-4月期间日本芯片设备销售额达1兆3,870.79亿日圆、较去年同期成长9.4%,销售额创历年同期历史新高纪录。

与第一代相比,第二代NORD平台采用更先进的制造工艺,芯片尺寸可减少约1/3,为应用设备的迷你化和便携化提供极大限度的紧凑型设计自由。

据韩媒报道,三星与KAIST等研究机构合作,正在加速研发一种名为Hafnia Ferroelectrics的材料,并考虑以此材料实现超高层数3D NAND堆叠。

美光近日宣布了一项重大投资计划,将在日本广岛县建设一座新的DRAM芯片制造工厂。根据日媒报导,这座新厂预计最快将于2027年底开始运营。

苟嘉章尤其看好大陆AI手机的发展进程将会领先全球,强调其生成式AI手机正在打造自己的云端生态系统,更跨足车联网系统,使手机成为很重要的载体,在2024年下半年到2025年就会看到更多新兴应用。

到2024年,韩美半导体的 TC粘合机产能将达到264台(每月22台)。此次购买的土地上将建设第七工厂。计划于2025年初开始全面运营,产能将增至每年420台(每月35台)。

国家集成电路产业投资基金三期股份有限公司正式成立,法定代表人为张新,注册资本高达3440亿人民币。该基金由财政部、国开金融等19位股东共同持股,将专注于私募股权投资和管理,旨在推动中国集成电路产业的整体竞争力提升。

全新 Trident Z5 Royal 系列 DDR5 内存套件支持最新的英特尔 XMP 3.0 内存超频配置文件,可通过主板 BIOS 轻松实现内存超频,将于 2024 年 5 月下旬推出。

股市快讯 更新于: 11-27 01:18,数据存在延时

存储原厂
三星电子58300KRW+0.69%
SK海力士177100KRW+0.06%
美光科技101.800USD-2.57%
英特尔24.050USD-3.30%
西部数据73.020USD+5.18%
南亚科35.80TWD-1.38%
华邦电子17.45TWD-0.85%
主控厂商
群联电子454.0TWD-1.41%
慧荣科技53.410USD-4.30%
美满科技93.140USD+0.98%
点序55.6TWD+2.02%
国科微64.11CNY-0.97%
品牌/模组
江波龙84.00CNY+0.30%
希捷科技101.660USD+0.30%
宜鼎国际230.5TWD-1.71%
创见资讯93.3TWD-0.32%
威刚科技90.2TWD-0.22%
世迈科技18.140USD+0.33%
朗科科技21.11CNY-3.91%
佰维存储56.76CNY-1.99%
德明利74.92CNY0.00%
大为股份11.45CNY-0.17%
封测厂商
华泰电子36.70TWD-0.81%
力成126.5TWD0.00%
长电科技37.57CNY-0.40%
日月光155.0TWD-0.64%
通富微电28.99CNY-1.46%
华天科技11.61CNY-0.43%