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根据29日行业消息，SK海力士在10nm 6代（1c）DRAM量产中使用了Inpria MOR。预计Inpria MOR将用于1c DRAM光刻工艺中要求最细线宽的部分。

半导体材料行业高层人士表示：“SK海力士在1c DRAM量产中使用了5层EUV，其中一层使用了Inpria的MOR。”他还提到：“未来不仅SK海力士，三星电子等也计划增加无机材料基础PR的引入。”

Inpria是日本企业JSR的子公司，被认为是无机材料基础PR的领先企业。它与多家半导体企业进行合作，与SK海力士自2022年起就MOR进行了共同研究。SK海力士副社长在宣布共同研究时表示：“锡（Sn）基础氧化物光刻胶将有助于下一代DRAM生产中的性能提升和成本降低。”

光刻胶是半导体光刻工艺中使用的关键材料。它具有对光反应并引起化学变化的特性，在半导体工艺中利用这一特性来制造电路图案。光刻胶主要分为化学放大型光刻胶（Chemical Amplification Resist, CAR）和无机材料基础PR。目前，大多数光刻工艺使用的是CAR。

由于CAR在蚀刻抗性、分辨率、图案粗糙度（LER）等方面的限制，开始开发MOR等无机材料基础PR。Inpria的EUV用MOR蚀刻抗性达到了CAR的10倍，比目前EUV工艺中使用的EUV PR蚀刻抗性高出3倍以上，后者的蚀刻抗性为1:3。除了Inpria之外，Lam Research也在为台积电供应无机材料基础PR的干法光刻胶。在韩国国内，三星SDI、Dongjin Semichem等也在开发无机材料基础PR。

当被问及是否在1c DRAM中引入MOR时，SK海力士回应称：“为了提高产品和工艺的竞争力，我们正在与合作伙伴推进各种新型材料的开发。”并表示：“我们将仔细评估新材料的成熟度等因素，以确定最佳应用时机。”

此外，据悉三星电子也在考虑在1c DRAM的EUV层中引入MOR。三星电子在1c DRAM中应用了6至7层EUV层，而美光则应用了1层。