据日媒报道，TEL在2023年6月的半导体国际会议报告中，展示一项新的蚀刻技术，可以在400层以上的3D NAND堆叠结构形成存储通道孔洞（memory channel holes）。

在传统旺季来临及半导体库存逐步去化下，封测厂商下半年业绩有机会持续拼温和复苏，但因终端需求依然未见显著起色，实际回升力度需待观察。

十铨看好后续5G、AI、服务器对存储的需求，将着眼B2B 领域DDR5/SSD 的技术整合。

旺宏6月营收连续二个月走低，但仍站稳20亿元之上，主要反映终端市场需求不振，客户持续调整库存，但库存修正似乎已近尾声，第2季合并营收74.29亿元，季增4.6%，表现仍持稳。

三星计划通过在天安工厂安装设备来增加HBM出货量。天安工厂负责封装等半导体后端工艺。由于HBM是通过垂直堆叠多个DRAM来提高数据处理速度的产品，因此只有增加后处理设施才能扩大出货量。据了解，扩建的总投资额为1万亿韩元。

Neosem 的 Gen 5 SSD检测设备可用于检查支持PCI Express 5.0 (Gen 5) 接口的最新 SSD 的性能和温度耐久性。

SK Square和SK海力士初步考虑将日本半导体中小企业作为投资目标。大约60%的投资资金将分配给日本半导体材料和零部件公司。预期投资目标包括半导体检测设备开发商、环保半导体元件制造商、AI半导体开发商以及下一代半导体材料开发商。

据外媒最新报道，英特尔此前曾宣布将于今年9月30日停止发货的Optane持久内存100系列模块，现改为延长至今年12月29日。这意味着额外的三个月供货时间。尚不清楚英特尔计划在这段时间内发货多少模块。

本次VLSI 2023上，西安紫光国芯发布的新一代多层阵列SeDRAM，相较于上一代单层阵列结构，新一代技术平台主要采用了低温混合键合技术（Hybrid Bonding，HB）和mini-TSV堆积技术。

此次定增将通过增加芯片研发投入来加速公司高端存储器产业化的步伐、优化产品结构，抓住行业发展机遇，有利于公司战略转型升级的顺利进行，巩固公司以自研主控为基础的存储管理应用方案这一核心竞争优势。

IGZO大致分为非晶(a：Amamorphous)-IGZO和结晶(c：Crystalization)。后一个领域是SK海力士正在研究的领域。c-IGZO 是一种物理和化学稳定的材料，可在半导体加工过程中保持均匀的结构。

为了构建1000层以上的NAND，还有很多功课要做，比如实现稳定性，即使像建筑物一样层数增加时也不会倒塌、弯曲或断裂。

全新白色 Trident Z5 RGB 系列 DDR5 内存套件支持 Intel XMP 3.0 内存超频配置文件，并将于 2023 年第三季度向 G.SKILL 授权分销合作伙伴推出。

报道称，加薪幅度为4.5%，且是有条件的：当季度营业利润转亏为盈时，将追溯自今年1月起的工资上涨。如果公司未能在今年内扭亏为盈，则今年不会实施工资上涨，并在明年扭亏为盈时追溯反映上涨幅度。

HBM是一种用于人工智能（AI）的高性能存储器，通过垂直连接多个 DRAM，与传统 DRAM 相比，显着提高了数据处理速度，其需求随着图形处理单元（GPU）的增长而迅速增长。