德明利与LeadingUI及张美莉投资设立合资公司并将触控资产出售给合资公司，有利于公司进一步集中资源聚焦存储主营业务，提高公司资产运营效率，降低管理成本，提升公司盈利能力。

据韩媒报道，三星电子一位高管表示，目标在2025年推出第六代高带宽内存HBM4芯片，以赢得在快速增长的人工智能芯片领域的主导地位。

据业内人士透露，三星电子正在考虑扩大DDR5生产线。

此外，三星电子还准备针对高温热特性优化的NCF（非导电粘合膜）组装技术和HCB（混合键合）技术，以应用于该产品。

分析师表示，三星削减芯片产量也损害了规模经济，提高了芯片制造成本。

美国政府已将三星电子和SK海力士在中国的芯片工厂指定为“经过验证的最终用户（VEU）”，这将允许美国出口商将指定物品运送到预先批准的实体，从而减轻他们的许可负担。

三星电子半导体（DS）部门预计将录得3至4万亿韩元的运营亏损，SK海力士预计将录得1.6855万亿韩元的运营亏损。与三星电子和SK海力士第二季度分别4.36万亿韩元和2.882万亿韩元的赤字相比，赤字预计将大幅减少。

存储力方面，存储总量超过1800EB，先进存储容量占比达到30%以上，重点行业核心数据、重要数据灾备覆盖率达到100%。

报道称，三星以品质改善为条件，与NVIDIA签订「有条件临时合约」，如HBM3品质改善至一定水准，将签订正式合约。由此推断，短期内NVIDIA的HBM3供应仍将由SK海力士主导。

日本政府已备妥最高1,670亿日圆来支应美光的生产成本，另拨款最高250亿日圆来支应研发成本。美光已表示，计划在日本投资5,000亿日圆（约合33.5亿美元），以最先进制程1γ技术生产新一代芯片。

放假期间，将停止所有产品报价，10月7日恢复闪存卡、USB 2.0、USB 3.0人民币报价，其他产品将于10月9日恢复报价。

未来的 DOMINATOR TITANIUM 套件将进一步突破 DRAM 性能的极限，因为新平台的速度将超过 8,000MT/s。

据外媒报道，美国可能最早在本周宣布让韩国芯片制造商无限期豁免于美国对中国大陆的半导体相关出口管制措施，这将让三星电子和SK海力士能够把芯片制造设备运往它们在中国大陆的工厂。

获得ISO 26262 ASIL D 认证的OctaFlash存储产品提供了最高达200MHz 的高数据传输操作频率，以及400MB/秒的高传输量，可满足车用、工业和消费性应用即时应变系统对于「随开即用」（instant-on）的效能需求。

由于接口速度更快，T9连续读写速度高达2,000 MB/s，是 T7 的两倍。容量方面，三星 T9 将推出 1TB、2TB 和 4TB 三种版本。