DRAM产品方面，公司将不断丰富DRAM自研产品组合，提高产品市场竞争力。自主研发的LPDDR4x产品正在积极送样验证的过程中。

兆易创新认为明年大体上随着减产效应的体现，供需会达到平衡的状态，大存储的价格有望延续反弹的走势，但也不太会出现暴涨暴跌的情况；利基型DRAM也会随着大存储反弹的走势，延续微弱反弹的趋势。具体供需关系还要看明年需求的恢复情况以及主流厂商减产的持续时间。

卢东晖透露，景气周期逐渐恢复，预期可望非常快速复苏，只是目前存储前段制造厂产能还未满载，待未来前段制造厂产能满载，将会逐步恢复增加人员，只是无法确定何时。

美光强调，台中四厂除了加速推动美光部署领先DRAM 技术外，对于日本及台湾地区扩大1-beta 制程、HBM3E 产能，以及未来2025年采用EUV 技术量产1-gamma 制程都发挥了关键作用

三星日前于2023年第3季财报发布会上表示，目标2024年将HBM产能较2023年提升为2.5倍，其中HBM3的销售占比将于2024年上半达到50%以上。

11月1日，商务部部长王文涛会见美光科技公司总裁兼首席执行官桑杰·梅赫罗特拉一行。桑杰·梅赫罗特拉介绍了美光科技公司业务发展情况，表达了持续扩大在华投资的意愿。

三星电子西安工厂将生产多少236层的具体产能（CAPA）尚未确定。看来生产堆叠数约为 300 层的 V9 的可能性也在考虑之中。三星电子一位官员表示，NAND需求的变化很重要，目前尚未确认是否完全转换为236层。

澜起科技近期在接受调研时表示，公司保持着在内存接口芯片领域的相对领先态势。公司牵头制定DDR5RCD及MDB芯片的国际标准，研发持续领先。

镇岳510将率先在阿里云数据中心部署，可应用于AI、在线交易、大数据分析、高性能数据库、软件定义存储等业务场景。

其中，第三季度营业收入为3.86亿元，同比增长29.48%，净利润-3177.5万元，同比减少321%。

天眼查显示，日前长鑫新桥存储技术有限公司发生股权变更，股东新增国家集成电路产业投资基金二期股份有限公司，大基金二期新增出资145.60亿元，持股比例33.15%。

SK海力士计划于明年上半年开始生产HBM3E，巩固其在AI内存市场的主导地位。SK海力士在季度财报电话会议上表示，“截至目前，不仅是HBM3，还包括HBM3E，我们明年的产能已经售罄。”

据媒体报道，SK海力士表示：“现在DRAM似乎正在好转，NAND似乎略有延迟，但我们要结合市场情况来灵活应对减产问题。预计NAND行情在明年上半年都不太容易扭转，明年6月份可能会是关卡。”

东芯半导体发布Q3业绩显示，期间营业收入为1.32亿元，同比下滑43.81%；归属上市公司股东净利润-7119.2万元，同比下滑226.13%；归属上市公司股东扣除非经常性损益的净利润-7635.2万元，同比下滑268.61%。研发投入4304.2亿元，占总营收32.73%。

旺宏表示，年底到明年初会量产的192层的NAND Flash，针对特定主要客户，营收贡献约是明年下半年，新研发的技术则是超过300层的产品；3D NOR Flash预计明年底释出sample后，营收贡献通常要再等1-2年。