业内人士预计，继HBM之后，LLW DRAM市场的扩张将预示着定制内存时代的开始。由于配备On-Device AI的设备差异很大，并且每种设备需要不同的功能，因此需要从开发阶段与客户密切合作，以确定生产方法和数量。

SK海力士在上月底举行的第三季度业绩电话会议上宣布，计划明年比今年增加设备投资。但解释称，由于上游需求尚未完全恢复，投资扩张将在有限范围内进行。投资集中的领域是HBM。为了增加下一代HBM3E中安装的1b制程DRAM的产量和堆叠，投资TSV技术被认为是重中之重。

数据恢复公司 Attingo表示，这些SSD中使用的组件对于电路板来说太大，导致连接薄弱（即高阻抗和高温）并使其容易断裂。此外，用于连接这些组件的焊接材料很容易形成气泡并容易破裂。

十铨指出，受惠原厂减产效应，带动DRAM和NAND FLASH价格开始上涨，同时AI应用增加，可望为存储市场带来大量需求，未来需求将逐渐好转。

业内人士表示，芯片行业最早将在明年第二季度看到 DRAM 供应的增加，因为晶圆投入的增加需要三到四个月的时间才能导致芯片产量的实际增长。主要芯片制造商的 DRAM 芯片供应量将在 2024 年下半年出现大幅增长。

DRAM产品方面，公司将不断丰富DRAM自研产品组合，提高产品市场竞争力。自主研发的LPDDR4x产品正在积极送样验证的过程中。

兆易创新认为明年大体上随着减产效应的体现，供需会达到平衡的状态，大存储的价格有望延续反弹的走势，但也不太会出现暴涨暴跌的情况；利基型DRAM也会随着大存储反弹的走势，延续微弱反弹的趋势。具体供需关系还要看明年需求的恢复情况以及主流厂商减产的持续时间。

卢东晖透露，景气周期逐渐恢复，预期可望非常快速复苏，只是目前存储前段制造厂产能还未满载，待未来前段制造厂产能满载，将会逐步恢复增加人员，只是无法确定何时。

美光强调，台中四厂除了加速推动美光部署领先DRAM 技术外，对于日本及台湾地区扩大1-beta 制程、HBM3E 产能，以及未来2025年采用EUV 技术量产1-gamma 制程都发挥了关键作用

三星日前于2023年第3季财报发布会上表示，目标2024年将HBM产能较2023年提升为2.5倍，其中HBM3的销售占比将于2024年上半达到50%以上。

11月1日，商务部部长王文涛会见美光科技公司总裁兼首席执行官桑杰·梅赫罗特拉一行。桑杰·梅赫罗特拉介绍了美光科技公司业务发展情况，表达了持续扩大在华投资的意愿。

三星电子西安工厂将生产多少236层的具体产能（CAPA）尚未确定。看来生产堆叠数约为 300 层的 V9 的可能性也在考虑之中。三星电子一位官员表示，NAND需求的变化很重要，目前尚未确认是否完全转换为236层。

澜起科技近期在接受调研时表示，公司保持着在内存接口芯片领域的相对领先态势。公司牵头制定DDR5RCD及MDB芯片的国际标准，研发持续领先。

镇岳510将率先在阿里云数据中心部署，可应用于AI、在线交易、大数据分析、高性能数据库、软件定义存储等业务场景。

其中，第三季度营业收入为3.86亿元，同比增长29.48%，净利润-3177.5万元，同比减少321%。