编辑:AVA 发布:2023-10-30 16:24
据韩媒报道,业内人士透露,全球三大DRAM企业三星电子、SK海力士、美光已完成第五代HBM3E的开发,准备量产,已开始送样。
人工智能领域对HBM的需求正在急剧上升。HBM产品按照HBM、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM3E、HBM4的顺序开发,其中第四代HBM3目前已量产。
引领HBM市场的SK海力士已成功开发HBM3E,并已开始向客户Nvidia分发样品进行验证。其开发的HBM3E每秒可处理超过1.15TB的数据,相当于处理超过230部全高清电影的数据。
SK海力士计划于明年上半年开始生产HBM3E,巩固其在AI内存市场的主导地位。SK海力士在季度财报电话会议上表示,“截至目前,不仅是HBM3,还包括HBM3E,我们明年的产能已经售罄。”
10月20日,三星电子在硅谷举行的内存技术日活动上展示了其超高性能 HBM3E DRAM Shinebolt。Shinebolt 的容量较前代产品增加了 1.5 倍,每秒可处理超过1.2 TB的数据。三星目前正在向客户分发HBM3E样品,预计将于明年下半年开始量产。
美光也通过开发第五代 HBM3 Gen2 内存加入了竞争,并已开始客户样品验证,该产品拥有超过1.2 TB 的带宽和超过 9.2 Gbps 的引脚速度,比目前发布的 HBM3 提高了 50%。
每家公司都在投资和技术开发上投入了大量资金,以确保在 HBM3E 市场中站稳脚跟。SK 海力士计划增加对硅通孔 (TSV) 工艺的投资,这是一种用于 HBM 制造的尖端封装技术。与此同时,三星上个月宣布开发出业界首款 12 nm 级 32 Gb DDR5 DRAM,该 DRAM 无需 TSV 工艺即可制造,这表明 HBM 产能的潜在增长,三星还致力于加强为 HBM 客户提供定制交钥匙(批量生产)服务的能力。
存储原厂 |
三星电子 | 53700 | KRW | 0.00% |
SK海力士 | 221000 | KRW | +0.68% |
铠侠 | 1771 | JPY | +3.57% |
美光科技 | 92.190 | USD | +3.57% |
西部数据 | 65.500 | USD | +4.30% |
南亚科 | 30.10 | TWD | +0.33% |
华邦电子 | 14.35 | TWD | +1.41% |
主控厂商 |
群联电子 | 473.0 | TWD | +0.32% |
慧荣科技 | 53.355 | USD | +4.09% |
联芸科技 | 41.26 | CNY | -4.87% |
点序 | 48.60 | TWD | +6.93% |
国科微 | 63.45 | CNY | -3.50% |
品牌/模组 |
江波龙 | 83.11 | CNY | -2.60% |
希捷科技 | 99.210 | USD | -0.17% |
宜鼎国际 | 204.5 | TWD | -2.85% |
创见资讯 | 87.3 | TWD | +1.28% |
威刚科技 | 77.0 | TWD | +0.26% |
世迈科技 | 20.045 | USD | +3.86% |
朗科科技 | 17.61 | CNY | -3.35% |
佰维存储 | 59.50 | CNY | -5.68% |
德明利 | 104.39 | CNY | +2.15% |
大为股份 | 13.65 | CNY | -5.99% |
封测厂商 |
华泰电子 | 33.50 | TWD | +0.90% |
力成 | 117.0 | TWD | +0.43% |
长电科技 | 38.83 | CNY | -4.43% |
日月光 | 177.0 | TWD | +2.91% |
通富微电 | 28.30 | CNY | -1.97% |
华天科技 | 11.26 | CNY | -2.76% |
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