提供128 GB、256 GB、512 GB 和 1 TB多种容量选择，兼容各种智能设备、相机和其他设备。防水、防尘、防震、防静电、防X光、耐极端温度。

这一措施被视为三星电子在观察市场趋势后对适当投资时机的判断，因为该公司的领导层似乎正在加强他们对今年下半年半导体市场好转的展望。

为了更好的反映市场行情，CFM闪存市场将于2023年6月13日对存储产品报价进行部分调整。调整方案如下：新增行业市场PCIe 4.0 SSD产品报价，容量规格为512GB、1TB及2TB。

A某涉嫌从2018年8月至2019年以不当手法获取并使用三星电子半导体工厂基本工程数据、工艺流程图、设计图等信息。涉案技术为用于制造30纳米以下动态随机存取存储器（DRAM）和闪存芯片（NAND）的制程工艺。

据多位关系人士透露，西部数据自去年起就已获得美国许可、可出口存储产品给华为。而铠侠虽和西部数据为合作关系，双方在存储产品上使用相同的关键零件、且在设备投资上进行合作，但铠侠并未获得出口许可。

该创新技术可在短短33分钟内实现10微米深的高纵横比蚀刻，与之前的技术相比，可将全球变暖潜能值降低84%。这项技术实现的潜在创新将刺激创建容量更大的3D NAND闪存。

十铨会专注观察终端消费市场需求是否于第3季落底，并弹性调整发展策略以因应各种变化。

HBM是一种通过堆叠DRAM显著提高数据处理速度的存储器。由于内存堆叠水平高，它被认为是下一代封装技术，被归类为以人工智能（AI）、5G、云和数据中心应用为代表的高性能计算（HPC）的必需品。

在高盛近期举办的全球半导体年会上，美光管理层披露中国最近的制裁对其总收入产生高个位数的影响，高于之前预计。

凭借 HYPERRAM 3.0，英飞凌扩展了其 HYPERRAM 系列的吞吐量，通过 x16 HYPERBUS 接口实现了 800 MBps（每秒兆字节）。HYPERRAM 3.0 设备符合汽车标准，是补充 TEKTON3 处理需求的理想扩展内存解决方案。

旺宏稍早法说会提出本季展望仍保守看待，5月营收表现确实反应客户仍持续调整库存。但公司强调预期车用、医疗及工控三大领域布局效益显现，毛利率可优于第1季，力拼转盈。

韩国存储模组印刷电路板（PCB）厂商TLB宣布完成服务器用DDR5存储模组PCB量产准备，如2023年下半市场景气复苏，TLB可望因为客户的DDR5 DRAM出货量增加，拉抬DDR5存储模组PCB营收。

今年上半年，各产品线的单价基本上已经处于周期性的底部，其中NOR Flash的价格承压相对更大。下半年，预计市场能有一定的回暖。

关系人士称，铠侠、西部数据考虑出资设立一家新公司，整合半导体生产和营运。预估将由铠侠掌握主导权，并持续针对出资比重等细节进行协商。

据日媒报道，西部数据和铠侠就合并事宜已进入最终协调阶段。