今年年初三星电子NAND库存超过20周，最高飙升至28周，但最近已降至18周，有达到顶点后下降的趋势。

澜起科技的CXL内存扩展控制器(MXC)芯片成功通过了CXL联盟组织的CXL1.1合规测试，被列入CXL官网的合规供应商清单。

固件更新并没有解决产品的原有问题，断开连接的问题还未解决，还出现了随机故障。西部数据也因此被告上法庭，原告称驱动器故障问题影响了美国数十万人。

十铨表示，工业产品线的极宽温存储产品系列均通过了验证实验室的ISO-16750 Road vehicles - 5.1.2 高温测试和AEC-Q104－Temperature Cycling测试。

据媒体报道，三星电子为保持其在NAND flash上的成本竞争优势，计划在300层以上堆叠的3D NAND中继续采用双次堆叠（double-stack）技术。

按出口地区来看，对日出口时隔10个月由降转增，增幅为23.2%。对华、对越南、对美国、对欧盟的出口分别减少27.7%、18.6%、28.3%、24.9%。

据悉，三星电子P1 NAND Line是主打V6 NAND的生产线。V6代表第六代，即128层NAND Flash。128层V-NAND系列工艺相对成熟。

截至今年6月底，负责三星电子半导体业务的DS部门的库存为336,896亿韩元， SK海力士为164,202亿韩元。与去年底相比，分别增长15.9%和4.8%。

三星在一份声明中表示：“与堆叠八个 32 TB SSD 相比，尽管存储相同数量的数据，一个 256 TB SSD 的功耗大约要低七倍。”

PBlaze7 7940系列PCIe 5.0企业级NVMe SSD可提供2,800K IOPS的4K随机读性能，700K IOPS的4K随机写性能，分别达上一代PCIe 4.0主流产品的2.5倍和1.7倍。

据韩媒引述业界人士消息称，三星电子正在针对NAND最大生产基地平泽和西安厂区进行产线稼动率调节，与此前仅在非主力生产线减少产量不同，三星电子高层认为与DRAM相比，NAND库存仍处于较高水位，对最大生产基地减少晶圆投入量可望有效降低NAND库存。

目前在DRAM领域应用晶圆到晶圆 (W2W) 技术的研究非常活跃，因为 W2W 混合接合解决方案的应用可以提高高带宽内存等产品的生产率。

相较于PCIe 4.0产品，该系列的吞吐量提升了一倍，顺序读写速度可高达14000/8000 MB/s，而4K稳态随机读写速度则可达2800/600K。

报道称，生产HBM需要采用双TC键合机，通过热压缩法连接多个DRAM。韩美半导体自2016年起就开始研发和生产该设备，今年已转型以此为主营业务。

官方宣称此移动SSD“可承受-40°C至85°C的极端驾驶室温度、车辆撞击和振动”，可以应用于从 Tesla Arcade 游戏到行车记录仪视频的车辆数据存储。