编辑:Mavis 发布:2023-09-12 10:30
据韩媒报道,三星、SK海力士为了掌握快速成长的HBM市场,将大幅革新新一代产品制程技术,预计2026年量产新一代HBM产品,HBM4。
从2013年第一代HBM到即将推出的第五代HBM3E,I/O接口数为每颗芯片1,024个,拥有超过2,000个以上I/O接口的HBM尚未问世。
不过,随着I/O接口数增加,制程难度也将拉高。据悉,两家业者对自身接近100%的HBM良率皆充满自信,目标通过革新技术巩固市场主导地位。
市调机构预测2023年HBM市场年成长率约为50%,近期直接上调至100%以上,且预测2024年成长率也将超过100%。
得益于先占HBM事业,据CFM闪存市场数据,得益于先占HBM事业,SK海力士2023年第2季DRAM市占率季增7.9个百分点,达32.2%;三星则季减4.6个百分点,从42.7%下降到38.1%,两者差距也从18.4%缩小到5.9%。
不过,三星将开始向大客户AMD和NVIDIA供应HBM3,更传NVIDIA韩国分公司开始招聘生产管理职,并明示职务相关合作企业为三星。业界预期三星将于2023年第3季末结束NVIDIA的HBM3验证流程,并自第4季正式供应产品。
在HBM市场的快速成长下,三星、SK海力士准备将2024年HBM产能提高至2倍以上,预计两家业者的HBM竞争也将更加激烈。
存储原厂 |
三星电子 | 74500 | KRW | +0.68% |
SK海力士 | 172500 | KRW | +1.65% |
美光科技 | 96.240 | USD | +0.70% |
英特尔 | 22.040 | USD | +9.49% |
西部数据 | 65.590 | USD | +4.06% |
南亚科 | 52.7 | TWD | -1.31% |
华邦电子 | 24.05 | TWD | +2.12% |
主控厂商 |
群联电子 | 532 | TWD | -1.48% |
慧荣科技 | 63.570 | USD | +1.00% |
美满科技 | 76.240 | USD | +9.16% |
点序 | 62.5 | TWD | +1.13% |
国科微 | 46.71 | CNY | +2.73% |
品牌/模组 |
江波龙 | 73.40 | CNY | +3.79% |
希捷科技 | 99.550 | USD | +2.06% |
宜鼎国际 | 293.5 | TWD | +0.86% |
创见资讯 | 103.5 | TWD | 0% |
威刚科技 | 94.6 | TWD | +0.11% |
世迈科技 | 20.720 | USD | +1.12% |
朗科科技 | 17.26 | CNY | +4.92% |
佰维存储 | 45.20 | CNY | +4.17% |
德明利 | 75.35 | CNY | +4.38% |
大为股份 | 9.35 | CNY | +3.66% |
封测厂商 |
华泰电子 | 41.95 | TWD | +1.08% |
力成 | 145.5 | TWD | +0.34% |
长电科技 | 32.65 | CNY | +5.60% |
日月光 | 153.5 | TWD | +0.99% |
通富微电 | 19.90 | CNY | +3.06% |
华天科技 | 7.97 | CNY | +2.44% |
深圳市闪存市场资讯有限公司 客服邮箱:Service@ChinaFlashMarket.com
CFM闪存市场(ChinaFlashMarket) 版权所有 Copyright©2008-2023 粤ICP备08133127号-2