据韩媒报道,业内人士透露,三星电子1c DRAM良率近期已达到显著水平,预计已超过80%,达到“成熟良率”。然而,业内普遍认为,尚难将此直接等同于HBM4的量产良率。
消息人士预估,目前三星HBM4所用DRAM的良率仍低于60%。目前计划是在今年下半年将HBM4所用DRAM的良率提升至接近成熟的水平,以加快对包括英伟达在内的主要人工智能客户的响应速度。由于HBM4所用DRAM涉及堆叠、封装、散热和信号稳定性保证等额外工艺,因此即使它与通用DRAM都基于相同的1c工艺,其制造难度也有所不同。
由于HBM4采用多层DRAM垂直堆叠的结构,以超高速运行,因此对于精度的要求远高于通用DRAM。即使单个芯片的良率达到一定水平,在组装成最终的HBM4成品的过程中,良率也可能再次下降。虽然三星电子1c DRAM良率正在稳步提升,但很难保证其在HBM4良率方面已经达到成熟水平。
三星于今年2月宣布其HBM4已开始量产,并向客户交付商用产品。其HBM4可提供高达每秒11.7 Gbps的稳定处理速度,比业界标准的8Gbps提升约46%。三星预计2026年其HBM产品销量将比2025年增长三倍以上,并正积极扩大HBM4的产能。

