系列 | NAND Flash | 规范 | 连续写入 | 容量 |
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iNAND MC EU551 | 96层3D TLC | UFS3.1 | 最高1550MB/s | 128GB/256GB/512GB |
西部数据iNAND MC EU551采用96层3D NAND,UFS 3.1 Gear4 2-Lane,新的SmartSLC Gen 7,HPB 2.0,带有128G、256G和512G三种容量,持续写入高达1550MB/s。
iNAND MC EU551不仅适用于智能手机,也为广泛的IoT设备提供嵌入式存储解决方案。
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