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12GB LPDDR5芯片目前已在国内主流手机厂商小米、传音等品牌机型上完成验证。

近日，长三角一体化发展重大合作事项签约仪式在湖州举行，会议指出，长三角地区拟支持长鑫存储 12 英寸存储器晶圆制造基地项目建设。

长鑫存储与Rambus Inc.签署专利许可协议。依据此协议，长鑫存储从蓝铂世获得大量动态随机存取存储技术专利的实施许可。

长鑫存储官方正式上线DRAM产品，包括8Gb DDR4芯片、8GB DDR4内存条、2GB/4GB LPDDR4X产品，均符合国际通行标准规范。

长鑫存储与Quarterhill Inc.旗下的Wi-LAN Inc.联合宣布，就原动态随机存取存储芯片(DRAM)制造商奇梦达开发的DRAM专利，长鑫存储与WiLAN全资子公司 Polaris Innovations Limited 达成专利许可协议和专利采购协议。

在9月19日，中国闪存市场峰会CFMS2019上，长鑫存储未来技术评估实验室副总裁平尔萱将带来《DRAM技术趋势与行业应用》的精彩演讲，敬请期待！

鉴于生产中依然会使用到美国的半导体设备和EDA工具，长鑫存储已经重新设计DRAM芯片，以尽量减少对美国原产技术的使用。

合肥长鑫计划2019年三季度推出8Gb LPDDR4，到2019年年底，产能达到2万片/月。从2020年开始，开始规划二厂，2021年完成17nm研发。