据业内人士透露，三星内部正在讨论将30-40%的1a DRAM产能转换为10nm级第五代 (1b) DRAM。如果将成熟工艺线（例如1z）的转换投资也算进去，三星将确保每月额外获得8万片（基于晶圆）的 1b DRAM 产能。

今年迄今为止，全球半导体设备出货量已接近1000亿美元，创下前三个季度的历史新高。强劲的人工智能需求持续推动先进逻辑与存储芯片领域投资，同时带动了面向能效优化的封装应用投资。

原厂产能被高毛利的HBM、DDR5持续吸纳，传统DDR4以下的产能遭明显排挤，价格一路走高，并外溢至利基型DRAM，晶豪科技产品结构以DDR2、DDR3为大宗。

此外，三星还在研发速度更快的HBM4变体，目标是将性能提升40%，最早可能将于2026年2月中旬发布。

据业内人士透露，三星电子已将P5的投产日期定在2028年，但鉴于目前的筹备速度，投产日期可能会提前。由于人工智能（AI）的普及，半导体需求迅速增长，三星电子正在寻求快速确保产能。

其中，半导体出口额同比大增38.6%，为172.6亿美元，连续9个月保持增势，并刷新单月最高纪录。今年前11个月半导体累计出口额高达1526亿美元，已超越去年全年（1419亿美元）。

十铨科技目前库存仍稳定在约2-3个月的高水位，以保留支持重点客户与市场的弹性。

在C-HBM4E阶段，为实现将内存控制器集成于基础裸片，从而节省计算芯片面积等目标，台积电将推出基于N3P先进制程的基础裸片解决方案。据称，该方案可将能效提升至HBM3E基础裸片的约两倍。

兆易创新GD25NX系列提供64Mb和128Mb两种容量选择，支持TFBGA24 8x6mm (5x5 ball array)以及WLCSP (4x6 ball array)封装形式。

铁电材料无需通电即可实现正负电荷的极化，因此无需持续供电即可维持数据。作为一种速度更快、能效更高的半导体材料，铁电材料正备受关注。三星电子SAIT首次在全球范围内发现了一种关键机制，通过融合氧化物半导体和铁电结构，可将功耗降低96%。