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群联目前仍握有成本相对较低的库存,将成为未来出货与获利扩增的基础。随着AI带动云端存储量急增,而NAND原厂扩产依旧保守,供需紧俏将持续支撑报价与营运表现。

据日媒报道称,为抢攻AI数据中心需求,铠侠将在2026年利用岩手北上工厂开始生产第10代的NAND Flash,其堆叠数从现行第8代的218层增加至332层。

据知情人士透露,SK海力士现在决定至少在明年上半年之前,保持HBM3E在所有HBM产品中最高的产量占比。SK海力士在与英伟达讨论明年HBM的产量时,大幅增加了HBM3E的产量,远超预期。

按产品线来看,威刚11月DRAM占整体营收比重拉升至64.98%,SSD占比为23.45%,存储卡、U盘与其他产品为11.57%。

华邦电子称,已有客户表达希望签订长达六年的供应合约,以提前锁定产能供应。

十铨未来将将集中投入Gaming、AI与Creator、云端与Edge computing,以及工控与IoT/AIoT应用等四大领域,且将不会再把资源分散在标准品市场,而是朝高附加价值市场深耕。

SK海力士继2017年后再度获得“最佳财务管理半导体公司奖”,并首次斩获“亚太杰出半导体企业奖”。这次双重荣誉彰显了SK海力士作为全球半导体产业标杆企业的地位。

力成看好第4季AI应用带动DRAM封测需求,先进逻辑封测续扩产能成长可期。

为确保为HBM主要客户提供及时的技术支持,SK海力士正在美洲地区建立专门的HBM技术部门。此外,为了快速响应不断增长的定制HBM市场,SK海力士还成立了专门负责HBM封装良率和质量的独立部门。至此,SK海力士构建了...

为了更好地为美光在增长更快的细分市场中的大型战略客户提供供应和支持,美光做出了艰难的决定,终止Crucial消费业务。

因应市场需求热度,南亚科技已陆续将部分产能转回DDR4,市场预期第四季涨势仍有双位数百分比。南亚科技对于第四季营运持续乐观。

制程优化提升了信号完整性并降低漏电率,确保在高达 3600Mbps 的数据速率下仍能稳定运作。

据业内人士透露,三星内部正在讨论将30-40%的1a DRAM产能转换为10nm级第五代 (1b) DRAM。如果将成熟工艺线(例如1z)的转换投资也算进去,三星将确保每月额外获得8万片(基于晶圆)的 1b DRAM 产能。

今年迄今为止,全球半导体设备出货量已接近1000亿美元,创下前三个季度的历史新高。强劲的人工智能需求持续推动先进逻辑与存储芯片领域投资,同时带动了面向能效优化的封装应用投资。

原厂产能被高毛利的HBM、DDR5持续吸纳,传统DDR4以下的产能遭明显排挤,价格一路走高,并外溢至利基型DRAM,晶豪科技产品结构以DDR2、DDR3为大宗。

股市快讯 更新于: 12-24 17:52,数据存在延时

存储原厂
三星电子111100KRW-0.36%
SK海力士588000KRW+0.68%
铠侠10605JPY+6.56%
美光科技276.270USD-0.12%
西部数据178.250USD+0.84%
闪迪244.900USD+1.60%
南亚科技189.0TWD+7.08%
华邦电子76.9TWD+5.34%
主控厂商
群联电子1290TWD+9.79%
慧荣科技89.630USD+0.09%
联芸科技46.02CNY+1.37%
点序72.0TWD+3.15%
品牌/模组
江波龙255.44CNY+5.27%
希捷科技282.800USD-0.02%
宜鼎国际512TWD+2.81%
创见资讯182.5TWD0.00%
威刚科技223.5TWD+9.83%
世迈科技20.290USD+1.50%
朗科科技26.07CNY+2.20%
佰维存储111.94CNY+3.91%
德明利221.00CNY+9.13%
大为股份26.74CNY+3.04%
封测厂商
华泰电子51.5TWD+2.39%
力成164.5TWD+0.30%
长电科技37.12CNY+1.34%
日月光234.5TWD0.00%
通富微电37.73CNY+0.69%
华天科技11.12CNY+1.65%