TEL与ASML合力研制下一代NA EUV光刻机，预计2023年投入运行

据悉，日本最大半导体成膜、蚀刻设备公司东京电子宣布，将在镀膜/显影技术上与ASML合作，以联合推进其下一代NA EUV光刻机的研制，确保2023年投入运行。参与该EUV光刻机研发的还有比利时的欧洲微电子中心。

东京电子表示，自旋金属抗蚀剂已显示出高分辨率和高蚀刻电阻，并有望使图案更加精细。然而，含有金属的抗蚀剂也需要复杂的图案尺寸控制以及对晶片背面/斜面金属污染的较好控制。为了应对这些挑战，涂层/开发人员正在联合高NA实验室安装先进的工艺模块，能够处理含金属的抗蚀剂。

有观点将当前ASML已经出货的NXE：3400B/3400C乃至年底的3600D称作第一代EUV光刻机，依据是物镜的NA（数值孔径）为0.33，所谓下一代也就是第二代的NA提升到0.55。0.55NA比0.33NA有着太多优势，包括更高的对比度、图形曝光更低的成本、更高的生产效率等。

EXE:5000之后还有EXE:5200，它们将是2nm、1nm的主要依托。