三星(Samsung) 厂商主页

三星一直处于创新的最前沿，致力于钻研创新性技术，不断推出新产品，迅猛而且业绩显著地开拓新市场。在闪存、DRAM、非存储芯片、定制半导体等产品线的研究与开发中一直保持领先地位，而且为保持电子数码产品领域领导者的地位不断努力，承诺为顾客提供全球最高水平的产品及服务。

三星存储产品

Samsung 840 EVO mSATA系列
Samsung 840 EVO mSATA系列

三星840 EVO mSATA接口的SSD系列专为超薄本而设计，最高容量高达1TB，速度迅捷，性能卓越，功耗更少。

三星 2014-01-16
Samsung eMMC 5.0系列
Samsung eMMC 5.0系列

容量从4GB-64GB，采用自家的控制芯片和NAND Flash，符合eMMC 5.0规范，适于智能手机和平板等移动设备。

三星 2013-09-10
Samsung 840 EVO系列
Samsung 840 EVO系列

840 EVO系列采用三星1xnm NAND Flash，MEX新控制器，最高容量高达1TB，最高读写均达500MB/秒以上。

三星 2013-08-14
Samsung eMMC 4.5系列
Samsung eMMC 4.5系列

容量从16GB-128GB，采用自家的控制芯片和NAND Flash，符合eMMC 4.5规范，适用于智能型手机和平板电脑等。

三星 2013-07-31
Samsung eMCP LPDDR 2系列
Samsung eMCP LPDDR 2系列

是一颗eMMC芯片加一颗低功耗的LPDDR 2，多种搭配方案满足不同需求的客户，用于中低端智能型手机上。

三星 2013-07-25
Samsung 840系列
Samsung 840系列

840系列是830系列之后的新产品，采用 TLC NAND和MDX控制器，不过容量和读写没有320系列多和速度快。

三星 2013-07-25
Samsung MCP LPDDR 2系列
Samsung MCP LPDDR 2系列

搭配方案NAND(512MB)+ MDDR 2(256MB/512MB)，采用 LPDDR 2，能实现高达1066Mbps的数据传输。

三星 2013-07-24
Samsung MCP LPDDR系列
Samsung MCP LPDDR系列

NAND(512MB-128MB)+ MDDR(512MB-32GB)，LPDDR能实现高达每秒400Mb的数据传输速率。

三星 2013-07-24
Samsung eMMC 4.41系列
Samsung eMMC 4.41系列

容量从4GB-64GB，采用自家的控制芯片和NAND Flash，符合eMMC 4.41规范，适于智能手机和平板等移动设备。

三星 2013-07-18
Samsung 840 PRO系列
Samsung 840 PRO系列

840 PRO系列是840系列的升级版，提高了产品的写入速度，速度最高达520MB/秒，为顶级专业用户提供。

三星 2013-07-16
Samsung 830系列
Samsung 830系列

830 系列采用27nm NAND Flash和MCX主控芯片，存储容量种类较多，而且产品类型多样。

三星 2013-07-10
Samsung SD系列
Samsung SD系列

存储容量从4GB-32GB不等，根据不同客户的存储需求，速度等级从Class 4-10，最高读取速度达80MB/s。

三星 2013-07-09
Samsung Micro SD系列
Samsung Micro SD系列

存储容量从4GB-32GB不等，更具不同客户的存储需求，速度等级从Class 4-10，最高读取速度达70MB/s。

三星 2013-07-09
三星 DDR4 DRAM
三星 DDR4 DRAM

DDR4以更少的耗能提供更高的速度。带宽3200Mbps，1TB/s系统内存

三星 2011-01-17

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厂商快讯

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⊙01-14 10:21

1月13日，佰维存储发布公告，预计2025年度实现营业收入100亿元-120亿元，同比增长49.36%-79.23%；预计2025年度归母净利润8.5亿元-10亿元，同比增长427.19%-520.22%。

⊙01-13 17:15

希捷正式推出三款 32TB CMR 机械硬盘，覆盖企业级 Exos 银河、监控 SkyHawk 酷鹰 AI、NAS 存储 IronWolf 酷狼 Pro 三条产品线。以上三款产品均基于希捷Mozaic HAMR（热辅助磁记录）技术平台，并针对应用场景进行了优化。

⊙01-13 10:09

据韩媒报道，三星电子正在评估韩国SNS Tech公司提供的EUV空白掩模，目标是在第二季度投入使用。目前正处于掩模评估的最后阶段，目标是在本月或下个月完成评估。三星电子一直以来都依赖进口EUV光刻掩模版，对日本的依赖程度尤其高，Hoya和Asahi Glass占据了三星大部分的供应。

⊙01-12 10:17

通富微电公告，拟定增募资资金总额不超过44亿元，募集资金扣除发行费用后拟用于存储芯片封测产能提升项目、晶圆级封测产能提升项目、高性能计算及通信领域封测产能提升项目，分别投入募集资金8亿元、10.55亿元、6.95亿元和6.2亿元。此外计划将12.3亿元用于补充流动资金及偿还银行贷款。

⊙01-09 16:18

群联2025年12月合并营收87.12亿元（新台币，下同），环比增长24％，同比增长93％，刷新历史单月新高；全年合并营收达726.64亿元，同比增长23％，同创历史同期新高。群联表示，上月整体营运表现持续升温，控制芯片总出货量年增97％。其中，PCIe SSD控制芯片出货量同比增长15％，显示新一代高速接口渗透率持续扩大；NAND Bit Growth同比增长16％，凸显云端服务商拉货带动NAND需求走扬，并衍生近期NAND涨价与供给吃紧的市况。

⊙01-09 15:25

力成2025年12月营收72.96亿元（新台币，下同），环比增长2.19%，同比增长30.52%，创2022年8月以来单月高点；2025年第四季营收214.07亿元，环比增长7.21%，同比增长25.21%；累计2025年全年营收749.29亿元，同比增长2.20%，创下三年来新高纪录。

⊙01-08 18:12

高通首席执行官安蒙确认，高通确认正与三星电子就2纳米芯片代工合作进行洽谈，三星将有望时隔五年再次获得高通最先进芯片的代工订单，相关芯片设计工作已全部完成。首个合作项目可能是将目前骁龙8 Elite处理器（由台积电3纳米制程代工），转向三星2纳米制程生产。

⊙01-08 14:30

美光宣布，将于2026年1月16日正式在纽约州奥农达加县破土动工兴建其巨型晶圆厂。该项目耗资1000亿美元，是纽约州历史上规模最大的私人投资项目，建成后将成为全球最先进的存储器制造基地，美国最大的半导体工厂。

⊙01-08 10:49

美光宣布推出美光3610 NVMe™ SSD，是业界首款面向客户端计算的PCIe®5.0 QLC SSD，基于久经市场考验的美光G9 NAND 打造，顺序读取速率高达11,000 MB/s，顺序写入速率高达9,300 MB/s，专为主流台式机和笔记本电脑设计。

⊙01-08 10:05

三星电子公布其2025年第四季度的盈利预期，预计营收为93万亿韩元（约合641亿美元），环比增长8%，同比增长23%；营业利润为20万亿韩元（约合138亿美元），环比增长64%，同比增长208%，创历史新高。三星电子将于1月29日披露完整版业绩报告。

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