胜创为一家拥有专业且先进的内存模组封装及测试设备的模组制造厂,致力于向全球客户提供最佳的存储器解决方案,而且推出了很多具有高度差异化与稳定性的全系列完整内存模组产品线。同时在生产成本上拥有很多的优势,能灵活把握产品量产上市时间,持续、平稳地供应全球市场需求量。
SD PRO Extreme行家级超高速系列相机闪存卡提供速度极快的效能,最高读取90MB/s,最高写入60MB/s。
采用Sandforce控制芯片和高速NAND,采用SATA 3接口,容量最高达480GB,多容量可供客户选择。
搭载新一代USB3.0高速传输介面,并且具备防水防尘实用功能,尺寸只有一般USB3.0 U盘的8.8%。
当地时间2月3日,Supermicro公布了截至2025年12月31日的2026财年第二季度未经审计财务报告。数据显示,该公司当季营收达126.82亿美元,净利润为4.01亿美元,毛利率为6.3%。此外,公司预计截至2026年3月31日的2026财年第三季度净销售额至少为123亿美元,2026财年全年营收将不低于400亿美元。
据韩媒报道,三星电子正在进行最终品质检验以确保2月底前实现HBM4量产出货,但英伟达请求无论测试结果如何先行供货。因AMD、谷歌等竞争对手加速追赶,英伟达开始加速确保HBM4供货。当前,三星电子与SK海力士都在进行HBM4的最终品质测试。分析称,因产品品质已得到一定程度的验证,英伟达遂请求三星跳过详细测试加急供货。
据台媒报道称,因AI芯片需求强劲,台积电决定上调2026-2027年CoWoS先进封装产能目标,并对原计划进行调整。公司将在南部科学园区AP8厂区新增两座CoWoS产线,同时把嘉义AP7厂区原定用于SoIC工艺的部分产能转为生产CoWoS。另有消息称,台积电正考虑在云林建设新的先进封装厂,并计划将其美国亚利桑那州子公司的封装设施从原定的两座增至四座。受此资源聚焦影响,其他封装技术如面板级CoPoS的量产时间已推迟至2029年。
据外媒披露,英特尔因缺乏财务可行性永久停止消费级锐炫 Arc B770 显卡的开发计划。该显卡原计划采用 BMG-G31 GPU,配备 32 组 Xe 核心与 16GB 显存,目前显存处于严重缺货涨价状态,一款 16GB 显存产品若仅能对标竞品 12GB 型号,其市场竞争力与投入回报均显不足。
据韩媒ZDNetKorea报道,三星电子计划上调其晶圆代工服务价格,主要涉及需求旺盛的4nm和8nm工艺,预计涨幅约为10%。目前这两类工艺产能已趋紧,进入稳定量产阶段。消息称此次调价主要基于两方面因素:一方面,由于相关工艺需求持续高涨,三星晶圆代工产能面临紧张;另一方面,受能源、原材料等成本上涨,以及台积电等同业因AI订单驱动提价的影响,三星为保持市场竞争力,相应调整报价策略。
南亚科技公布2026年1月营收153.10亿元新台币,环比增长27%,同比大增608%,创历史新高。市场需求复苏是推升1月营收创高的主要动力。
慧荣科技2025年第四季营收2亿7,846万美元,较前一季成长15%,与前一年同期相比大幅成长46%;毛利率49.2%,税后净利4,271万美元。2025年全年营收8亿8,563万美元,同比成长10%;毛利率从2024年的46%提升到48.3%;税后净利达1亿1千982万美元,每单位稀释之美国存托凭证盈余3.55美元。
据韩媒ZDNetKorea报道,为应对人工智能发展激增的存储需求,SK海力士计划于今年第二季度启动尖端NAND闪存的“转换投资”,在其清州M15工厂扩产321层第9代NAND,将月产能从当前的约2万片晶圆提升至约3万片。
业内消息称,三星电子将于今年第二季度启动尖端NAND闪存的“转换投资”,重点对其中国西安的X2产线进行改造升级。该产线目前主要生产第6-7代NAND,将转换为生产280层V9 NAND,目标月产能增加4至5万片晶圆。同时,其韩国平泽P1园区也在筹备相关产能提升。
据媒体报道,存储厂华邦电子总经理陈沛铭表示,今年存储景气度会非常好,第一季度合约价涨幅维持2025年第四季度水准,第二季度合约价正在洽谈中,今年和2027年的已有与新增产能,均已销售及预定完毕。
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