支持3D TLC/QLC NAND,PCIe4.0,最大支持16TB容量,最大顺序读写速度可达6.5GB/s、3.9GB/s。
SM2264针对高端产品打造,支持八通道,支持最新PCIE Gen4 x4通道和NVMe 1.3协议,支持9x+层堆叠的3D TLC/QLC颗粒,最大容量16TB,最高顺序读取高达6.5GB/s,写入3.9GB/s,4K随机读写均可达到700K IOPS。
2025-06-27 固态硬盘
2025-05-14 固态硬盘
2025-05-13 固态硬盘
2025-04-18 固态硬盘
2025-03-13 嵌入式
华邦电子自行结算的2026年9月份合并营收为新台币282.49亿元,较上个月增加3.44%,较去年同期增加256.67%。累计2026年1-9月合并营收为新台币1,804.27亿元,较去年同期增加187.39%。
南亚科技日前宣布,将于中国台湾地区屏东科学园区投资设立3D晶圆封装测试厂,将导入硅穿孔 (TSV)、晶圆堆叠等3D IC先进技术,布局晶圆级封装与测试的专业制造整合能力,以满足AI应用快速发展所带动的高效能、高频宽存储需求。
南亚科技2026年9月份自结合并营收为新台币450.91亿元,较上月增加0.9%,较去年同期增加576.62%。累计今年1-9月合并营收为新台币2,652.85亿元,较去年同期增加626.95%。
Netlist于当地时间6日宣布,已同意授予美光科技一项为期五年的非独家全球专利许可。根据协议,美光科技将可以使用Netlist的专利,包括服务器内存模块和高带宽内存(HBM)技术。 美光科技将在五年内分20个季度(从今年第四季度至2031年第三季度)向Netlist支付总计6亿美元,每个季度支付3000万美元。 此外,美光科技还签署了一项股票购买协议,将以100万美元的价格收购Netlist的1000万股普通股。这些股票设有锁定期,自发行之日起五年内每年将解除锁定20%。
Netlist于当地时间6日宣布,已同意授予美光科技一项为期五年的非独家全球专利许可。根据协议,美光科技将可以使用Netlist的专利,包括服务器内存模块和高带宽内存(HBM)技术。 美光科技将在五年内分20个季度(从今年第四季度至2031年第三季度)向Netlist支付总计6亿美元,每个季度支付3000万美元。
此外,美光科技还签署了一项股票购买协议,将以100万美元的价格收购Netlist的1000万股普通股。这些股票设有锁定期,自发行之日起五年内每年将解除锁定20%。
10月8日,三星电子公布2026年第三季度盈利预期。2026年第三季度,三星电子初步合并营收为195万亿韩元,营业利润为107.4万亿韩元,营业利润率为55.1%。与去年同期相比,营收同比增长126.6%,营业利润增长782.5%。与上一季度相比,营收和营业利润分别增长13.7%和20.0%。
雷克沙日前推出Lexar Professional DIAMOND CFexpress 4.0 Type A 存储卡。目前仅提供 640GB 单一容量,最大顺序读取速度可达1800MB/s 、最大顺序写入速度可达1650MB/s。
佰维近日宣布与宏碁签署一项重要的多年期官方授权协议。该协议建立在双方 2020 年达成的早期合作的基础之上。根据新协议内容,佰维将继续作为宏碁官方授权合作伙伴,设计、制造、销售宏碁与掠夺者 (Predator) 品牌的消费级内存与存储产品。
长鑫科技发布公告称,长鑫科技集团股份有限公司(以下简称“公司”、“长鑫科技”)拟使用超募资金人民币 130.00 亿元投资新建技术研发项目,同时,公司拟通过增资和借款方式向全资子公司长鑫存储产品(合肥)有限公司(以下简称“长鑫产品合肥”)提供超募资金人民币 50.00 亿元,由长鑫产品合肥投资新建“长鑫存储产品(合肥)有限公司存储器晶圆后道测试基地二期项目。 长鑫科技原计划通过IPO募集资金295亿元,主要用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目、DRAM存储器技术升级项目、动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目。最终,长鑫科技IPO超募资金金额达368.10亿元。
长鑫科技发布公告称,长鑫科技集团股份有限公司(以下简称“公司”、“长鑫科技”)拟使用超募资金人民币 130.00 亿元投资新建技术研发项目,同时,公司拟通过增资和借款方式向全资子公司长鑫存储产品(合肥)有限公司(以下简称“长鑫产品合肥”)提供超募资金人民币 50.00 亿元,由长鑫产品合肥投资新建“长鑫存储产品(合肥)有限公司存储器晶圆后道测试基地二期项目。
长鑫科技原计划通过IPO募集资金295亿元,主要用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目、DRAM存储器技术升级项目、动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目。最终,长鑫科技IPO超募资金金额达368.10亿元。
时创意宣布已正式启动基于 QLC NAND 闪存的 UFS 2.2 嵌入式闪存样品交付,提供128GB / 256GB / 512GB三种容量选择,采用 11.5×13.0×0.95 (mm) 的 BGA 封装,顺序读取最高达1080MB/s、顺序写入最高达860MB/s。
三星电子宣布,已率先在高通骁龙 8 Elite Extreme Gen 6 成功验证了其16GB LPDDR6内存,其输入/输出(I/O)速度高达10.7Gbps。三星表示,三星和高通自研发初期以来就紧密合作,这一成就证明其LPDDR6能够满足下一代移动平台的需求。