采用96层TLC BiCS FLASH,支持PCIe 4.0接口,符合NVMe 1.4接口规范。
东芝发布业内最快PCIe 4.0 NVMe 规范企业级CM6系列SSD,该系列产品的顺序读取速度可达6.4GB/s。
CM6系列SSD支持双端口PCIe Gen4 x4通道,并且符合NVMe 1.4接口规范。企业级NVMe SSD系列外形尺寸为2.5英寸,容量从800GB到30TB。
2025-06-27 固态硬盘
2025-05-14 固态硬盘
2025-05-13 固态硬盘
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2025-03-13 嵌入式
针对“6月25日7时30分左右发生在日本东北地区的地震”,铠侠最新回应称,经确认,其北上工厂的建筑物和设施未受损,北上工厂的生产活动照常进行。
美光在其最新业绩会议上透露,其从力积电手中收购的苗栗铜锣一厂预计将于 2027 年中开始贡献有意义的 DRAM 出货,较此前预期提前 1 个季度。而在洁净室约 28000m² 的铜锣一厂旁边,洁净室面积约 25000m² 的美光铜锣二厂也已启动建设。这座新晶圆厂将支持 EUV 光刻图案化设备,面向 1γ、1δ 乃至此后的先进 DRAM 制程工艺。
随着AI大模型参数量的不断膨胀,业界对HBM(高带宽内存)的堆叠层数需求正逼近物理极限。然而,芯片越堆越高,随之而来的“积热”问题便成了制约性能释放的最大瓶颈。近日,三星电子用一项重磅研究给出了破局方案:其研究团队首次通过量化数据证实,在下一代HBM封装中采用的混合铜键合(HCB)技术,在热管理上全面优于传统的热压接合(TCB)。
美光预计DRAM和NAND的供需状况将在2027年以后继续保持紧张。受限于新建晶圆厂漫长的建设周期、关键技工短缺、复杂的法规审批以及HBM对常规产能的持续挤压,行业供应紧张的局面预计将持续至2027年之后,直到2028年才会逐步改善。
美光2026财年第三财季(截至2026年5月28日)实现营收414.56亿美元,同比大增346%,环比大增74%;Non-GAAP下,营业利润336.81亿美元,同比暴增12.5倍,环比增长105%;净利润288.57亿美元,同比暴增12.2倍,环比增长106%。调整后每股收益(EPS)达25.11美元,远超分析师预期的20.49美元;调整后毛利率达84.9%。
长电科技公告称,拟通过设立控股子公司,在上海临港新片区建设高端先进封测工厂,项目总投资78亿元,注册资本预计40亿元。项目分两期建设,其中一期涵盖厂房建设、装修及设备投资等,计划于2028年下半年完成。
美光科技与Anthropic宣布建立长期战略合作,内容覆盖AI内存与存储架构设计、多年期产品供应、Claude在美光内部的企业级应用,以及美光对AnthropicH轮融资的战略投资。
三星电子今天推出业内速度最快的通用闪存存储 (UFS) 5.0 解决方案。该方案实现了业界最高的10.8GB/s带宽,顺序读取速度高达10.8 GB/s,顺序写入速度高达9.5 GB/s,顺序读写速度较上一代UFS 4.1标准快两倍以上。三星UFS 5.0方案显著提升了移动内存的存储和处理速度,同时提高了能效并缩小了封装尺寸,可提供更佳的设备端AI体验。三星将于今年第四季度开始量产UFS 5.0,容量最高可达1TB。
据台媒报道,群联电子执行长潘健成近日表示,当前NAND Flash市场供给持续紧张,缺货情况深不见底。他预计,今年下半年的供需紧张程度将远超上半年,而明年的情况恐怕还会更加严峻。潘健成强调,Flash缺货将是一个长期且不可逆的趋势,目前公司的订单已经排到了2027年第一、第二季度。
三星电子近日召开了为期三天的全球战略会议。据韩媒引述业内人士消息,其DS部门会议重点围绕高带宽内存(HBM)的销售扩张以及长期供应协议(LTA)战略进行了深入探讨。