| 系列 | 容量 | 形态 | 接口 | NAND Flash | 速度(读) | 速度(写) | 随机读取 | 随机写入 | 工作温度 | 保修期 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| H10 | 16GB Optane+ 256GB QLC | M.2 2280 | PCIe 3.0x4 | 3D QLC | 最高2400MB/秒 | 最高1800MB/秒 | 最高55K IOPS | 最高55K IOPS | 0℃-70℃ | 5年 | |
| H10 | 32GB Optane+ 512GB QLC | M.2 2280 | PCIe 3.0x4 | 3D QLC | 最高2400MB/秒 | 最高1800MB/秒 | 最高55K IOPS | 最高55K IOPS | 0℃-70℃ | 5年 | |
| H10 | 32GB Optane+ 1TB QLC | M.2 2280 | PCIe 3.0x4 | 3D QLC | 最高2400MB/秒 | 最高1800MB/秒 | 最高55K IOPS | 最高55K IOPS | 0℃-70℃ | 5年 |
英特尔Optane memory H10是将Intel Optane技术和Intel Quad Level Cell(QLC)3D NAND相结合,采用PCIe NVMe 3.0 x4接口,M.2 2280规格形态。适用于轻薄的笔记型电脑,以及某些空间受限的迷离桌上型电脑,比如整合式多功能(all-in-one)PC和迷你PC。
Optane memory H10提供16GB Intel Optane + 256GB QLC NAND ; 32GB Intel Optane + 512GB QLC NAND 和32GB Intel Optane + 1TB QLC NAND多种组合。
性能方面,顺序读写速度最高分别2400MB/S、1800MB/S;随机QD1 4KB读写速度最高分别达32K/30K IOPS;随机QD2 4KB读写速度最高分别达55K/55K IOPS。工作温度0℃-70℃,保修期5年。
