消息称三星电子也正在开发下一代4F² VCT DRAM

存储器 2026-10-14 16:48

据韩媒报道,在首尔江南区COEX举行的第28届半导体展览会(SEDEX 2026)开幕式上, 三星电子首席技术官(CTO)兼总裁Song Jaehyuk 确认三星电子也在开发4F²技术。三星电子表示,他们已经对 4F² 技术进行了大约五年的研究,内部正将其推进为“垂直通道晶体管 (VCT) DRAM”形式,这种形式将单元结构垂直排列。 据业内人士透露,三星电子计划将4F²技术应用于其下一代3D DRAM和垂直结构工艺节点“D0a”,该项目内部代号为“D0a-V”。

简讯快报

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