消息称台积电仍将采用微凸点方式而非混合键合进行HBM封装

存储器 2026-09-02 16:45

据媒体报道,台积电在将高带宽内存(HBM)与人工智能(AI)加速器相结合的高级封装中,预计短期内仍将采用现有的微凸点封装技术,而非混合键合技术。主要原因是在良率、检测和量产方面难以轻易放弃已获验证的方案。考虑到材料开发周期,预计更精细的微凸点将持续用到第四代后期至第五代初期的HBM中。据悉,台积电已向材料和设备合作厂商要求开发5微米(μm)级接合和底部填充技术,为进一步缩小目前先进封装中使用的微凸点尺寸。韩国和日本的供应链已开始投入开发,预计5微米级凸点的量产将于后年下半年实现。

简讯快报

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