京元电子拍板赴美设厂，预计投资金额达14亿美元

京元电子董事会已决议通过美国投资设厂案，将于美国设立孙公司并兴建新厂，投资金额预计为14亿美元内，这是京元电子近年来规模最大的海外投资案。

据韩国海关公布的同期进出口统计数据显示，7月1-10日韩国出口总额达298.39亿美元，同比增长53.9%。出口表现超过了上月创下的纪录，并创下同期历史新高。半导体出口增长依然是推动出口增长的主要动力。该期间半导体出口额较去年同期飙升193.0%，达到112.07亿美元，占出口总额的37.6%。

据外媒报道，苹果M7 Ultra设计支持高达1.5 TB的内存，大约是M5 Ultra计划容量（768GB）的两倍。然而，苹果最终是否会提供这种配置，将取决于行业状况，目前内存芯片普遍短缺，导致这种组件更难找到，价格也更高。性能方面，配备512GB内存的M3 Ultra就能运行拥有6710亿个参数的DeepSeek R1 AI模型，预计M7 Ultra应该能够运行1.2万亿参数的模型，并支持8位量化。时间线上，M7预计将于2027年上半年到来，并可能为配备均热板升级的重新设计的MacBook Pro提供动力；M7 Pro和M7 Max计划于2027年底推出，而旗舰级的M7 Ultra将于2028年面世。

在SK海力士于美股纳斯达克上市首日，其CEO 郭鲁正发出行业预警：全球存储芯片行业正走向2027年“史上最严重的供应短缺”，且供不应求的局面可能延续至2030年之后。

7月13日，A股四大指数集体低开，沪指跌0.75%，深成指跌0.92%，创业板指跌0.86%，科创综指跌1.19%。存储概念股走势普遍走低，截至发稿，德明利跌超8%，兆易、江波龙、佰维跌超6%，大普微、联芸跌超2%。

7月13日，日韩股市双双低开。截至发稿，韩国KOSPI指数跌超5%；日经225指数跌超1%；个股方面，三星电子跌超4%，SK海力士、铠侠跌超8%。

英伟达CEO黄仁勋近期在某个非交易路演上透露，尽管公司季度营收即将逼近 1000 亿美元，但增长速度不仅没有见顶，反而仍在持续加快。并描绘了一幅 AI 算力需求持续扩大的图景：AI 的应用正从科研机构和传统云计算巨头，进一步扩展至主权 AI（Sovereign AI）和工业 AI 等新领域。此外，黄仁勋还否认了关于“Rubin Ultra 可能推迟至 2028 年推出”的传闻，并表示 Rubin Ultra 仍将按计划于明年正式出货。

据媒体援引业界消息，中国政府、昇维旭和华为已组成三方联盟，共同建立一座12英寸内存生产厂。该工厂初期将以每月14万片晶圆的产能量产28纳米DRAM。为了确保相关计划顺利实施，华为聘请了一位台积电前董事担任CEO，并招募了一位前尔必达高管担任战略顾问。

据媒体报道，三星电子正着手将其龙仁芯片集群首座半导体工厂的投产时间提前至2029年，比原计划提早一至两年。早在6月29日，三星公布投入2030万亿韩元)的大规模投资计划，涵盖平泽园区、龙仁工业园区，以及在湖南、忠清和岭南地区追加的625万亿韩元投资。

7月10日，中信证券、中信建投发布了关于长江存储控股股份有限公司首次公开发行股票并上市辅导工作进展情况报告（第一期）。中信证券、中信建投两家券商合计派出31人组成辅导团队，本期辅导期为2026年5月19日至6月30日，通过现场尽调、组织集中授课、专项问题沟通等多种辅导方式开展辅导工作。辅导工作小组将根据国家有关法律法规及中国证监会有关规定，按照辅导计划和实施方案，稳步推进辅导工作。

据媒体报道，台积电正持续提升先进封装技术CoWoS的产能规模，定下2027年月产20万片晶圆的目标。业内人士透露，台积电原计划在2026年达到月产11万片CoWoS的目标，但当前已调整到超13万片；而2027年底的实际CoWoS月产能有望达到24-26万片。然而，即便如此，仍无法满足AI XPU对逻辑芯片与HBM整合的需求。未来5年内，CoWoS将持续以每年扩大尺寸的节奏发展，以整合更多的逻辑芯片和HBM晶粒。其中，整合20个HBM、达到14倍光罩尺寸的CoWoS将于2028年量产，整合24个HBM、大于14倍光罩尺寸的版本则将2029年准备就绪。

香农芯创公告称，预计2026年半年度归属于上市公司股东的净利润为35.00亿元-40.00亿元，同比增长2118%-2434%。业绩变动主要系人工智能需求增长带动存储芯片行业高景气，公司电子元器件分销业务毛利率提高，以及自主品牌“海普存储”业务进入大规模销售阶段。香农芯创Q1净利润13.27亿，据此推算，Q2净利润预计21.73亿-26.73亿，环比增长63%-101%。

据外媒报道，AMD将于7月22日至23日举行的Advancing AI活动上推出基于Zen 6架构的EPYC Venice CPU。据悉，EPYC Venice的性能和能效比其基于Zen 5的前代产品提升超过70%。Zen 6将采用全新的 SP7插槽，并支持16通道内存，带宽最高可达1.6 TB/s。此外，它还将采用PCIe Gen 6.0标准，以提升CPU与GPU之间的通信，从而增强AI加速器的性能。主流客户端的Zen 6产品，则可能要等到今年年底才能见到，AMD很可能会在2027年1月举行的CES 2027上发布Zen 6芯片。

环球晶圆董事长徐秀兰表示，此次与美光签署10年长期供货协议(LTA)，是该司成立以来最长期限的供货合约，除反映客户对AI、高效能运算及数据中心需求的长期信心，也显示硅晶圆客户重新提高签署长约意愿，目前已有多家客户重新启动合作洽谈。美光愿意签署10年长约，代表这一波AI需求不只是短期循环，而是更长时间的成长趋势。

据媒体报道，南亚科技在法说会指出，Rubin Ultra和TPA等新一代AI加速计算平台推升HBM bit需求并持续排挤传统DRAM产能，预期至2028年全球DRAM仍将供不应求。南亚科技预估2026-2028年公司产能扩张约69%。5A新厂将导入1C/1D奈米先进制程，并新增产能约4.5万片，有助于提高单位晶圆bit产出。预计2027、2028年bit出货量将分别年增8%、53%达到67.5亿Gb和103.3亿Gb。此外，由于Q2平均每Gb价格尚未完全反映合约价上涨，且大型长约客户换约存在时间差，预计三季度ASP仍有上修空间。

印度电子制造服务商Dixon Technologies当地时间7月9日表示，印度商务和工业部已正式批准其与vivo印度成立一家51:49的合资企业。根据协议，该合资公司将开展智能手机等电子设备的OEM（代工生产）业务，主要承接vivo在印智能手机销量约三分之二的生产订单（超2000万部），同时也可面向其他电子厂商接单。此举旨在响应印度“生产印度”（Make in India）政策，强化本土供应链能力。

据外媒报道，为解决功耗和散热问题，三星正重点研发“2.xD”封装技术。据介绍，2.xD在现有基于硅中介层的封装基础上，通过应用基于面板的重分布层（RDL）中介层，将HBM、逻辑芯片和硅光子（光半导体）技术集成到单个系统中，将发展成为用于人工智能数据中心的高容量、高带宽系统封装。

据外媒报道，美国商务部长霍华德·卢特尼克表示，他希望三星电子和SK海力士能够扩大其在美国的半导体生产设施。卢特尼克在出席美光纽约州克莱工厂的混凝土浇筑仪式时表示：“我希望把美光的竞争对手三星电子和SK海力士带到美国建厂。既然美光走在了前列，竞争对手就会心生嫉妒，最终不得不效仿。”对此，三星和SK海力士均回应称，“目前尚未进行任何具体讨论”。两家公司表示，如果条件允许，他们会考虑扩大在美国的生产设施。

据外媒援引一份内部备忘录报道，为应对零部件短缺，Meta计划于9月开始生产其最新版本的AI专用芯片（Iris），以降低GPU成本。公司计划明年将计算能力翻倍至14吉瓦。据悉，Meta正与博通合作进行芯片设计，将从三星采购内存，从闪迪采购闪存，从住友电工采购光纤设备，并委托台积电进行生产。

美光宣布，受AI时代对存储器需求激增的推动，公司将加快其在美国的晶圆厂和技术投资计划，预计到2035年将支出增加到2500亿美元以上。该投资计划旨在实现美国本土产能占其DRAM总产量的比例提升至40%。作为投资的一部分，美光计划投入高达30亿美元用于强化美国半导体供应链生态系统，包括向环球晶圆公司提供5亿美元的战略融资支持，并与环球晶圆签订为期10年的供应协议获得硅晶圆产能保障。