三星电子和 SK 海力士首先对之前发布的产品进行测试。预计测试结果将反映在未来下一代产品的开发中，并发布具有浸入式冷却保证的产品。

韩国工业部将在2025年至2031年期间投资2744亿韩元（约合2亿美元）用于半导体封装技术研发项目，目标是增强高带宽内存芯片等尖端产品的竞争力。

据韩媒报道，业界人士透露，韩国NAND闪存材料供应商供应量较去年增加了约2-3倍。去年，由于需求低迷，三星电子和SK海力士将NAND工厂的开工率降至20-30%，受AI数据中心对大容量NAND需求的推动，今年开工率已上升至70%以上。

轨道设备用于芯片生产的光刻工艺，其中光刻胶沉积在晶圆上，当暴露在光线下时，光刻胶就会被绘制成电路图案。

今年上半年整体市况较压抑，预期在需求递延下，应会削弱第四季营收下降的传统季节性影响，预估今年第四季可望与第三季持平，而上下半年营收比重则应会以4:6表现。

随着三星电子和SK海力士提升其高带宽内存（HBM）产量，韩国半导体设备公司的热压键合机订单量迅速增加。热压键合机对HBM生产至关重要，能显著影响HBM的产量。

随着GDDR7显存技术的发展，三星电子、SK海力士和美光科技正在激烈竞争，以期在新一代高性能显存市场中占据领导地位。这三家公司均在积极研发，以期提供更高性能、更低功耗的GDDR7产品，满足日益增长的高性能计算和图形处理需求。

新思科技（Synopsys）近日宣布推出业界首款PCIe 7.0 IP解决方案，该方案包含控制器、IDE安全模块、PHY和验证IP，旨在满足计算密集型AI工作负载的带宽和延迟需求，同时支持广泛的生态系统互操作性。新思科技的PCIe 7.0技术在PCI-SIG DevCon大会上进行了全球首次演示，展现了其在数据中心AI芯片设计领域的领导地位。

三星电子正计划恢复位于平泽的新半导体工厂“P5”的基础建设。随着半导体行业的复苏正式开始，这被解读三星为扩大产能以应对需求增加的措施。

在主要地区产能扩张方面，中国大陆芯片制造商可望维持两位数产能成长，预计2024年增幅15%、达每月885万片，2025年再成长14%、达每月1,010万片，几乎占业界总量三分之一强。包括华虹集团、晶合集成、芯恩和中芯国际等代工大厂均持续加强投资力道，提升中国区半导体产能。

累计2024年1-4月期间日本PCB产量较去年同期减少12.3%至292.1万平方米、产额减少10.8%至1,739.92亿日圆。

台积电及其子公司创意电子获得SK海力士下一代HBM4芯片设计和生产的重要订单，预计将采用台积电的先进工艺技术，进一步巩固其在高端芯片市场的领导地位。

FC-BGA是一种连接芯片和主板的半导体高密度封装板，应用于高性能计算（HPC）的半导体。随着包括大数据和机器学习在内的人工智能市场爆发式增长，信息处理速度快的FC-BGA市场也在大幅扩张。

但SK海力士也表示，虽然3D DRAM潜力巨大，但在实现商业化之前还需要进行大量的开发过程。SK海力士指出，与2D DRAM的稳定运行不同，3D DRAM表现出不稳定的性能特征，需要堆叠32-192层存储单元才能实现普遍使用。