随着人工智能、高性能计算和数据中心需求的增长，HBM芯片市场占比显著提升。美光科技和SK海力士的HBM产能已售罄至2025年，三星虽暂时落后，但正加速追赶。HBM4技术预计将带来接口宽度增加、层数提升、功耗降低等变革，满足未来市场需求。

美光科技（Micron）正式进入高带宽存储器（HBM）市场，打破了三星电子和海力士长期以来的主导地位。尽管是后来者，但美光科技已经开始向英伟达（Nvidia）供应少量产品，形成了HBM领域的三足鼎立局面。

受惠日圆走贬、中国需求大增，带动日厂电子零件出货额续扬、创2年半来最大增幅。

过去随着半导体先进制程的推进以及制程微缩，die size缩小，wafer用量减少，但现在由于封装变立体，结构变化，wafer数量提升，可见AI的发展趋势有利于wafer量的提升。

韩国6月半导体出口额为134.2亿美元，创历史新高，已连续8个月保持增势。韩国工信部将涨幅归因于存储芯片价格上涨，以及云计算和人工智能领域的强劲需求。

SK海力士将在未来5年内投资103万亿韩元（约合747亿美元），加强半导体事业竞争力，计划将约80%（82万亿韩元，约合595亿美元）投资于高带宽存储器（HBM）等AI相关领域。

三星电子自今年年初以来一直对 HBM 进行大规模投资，并开始致力于将国内外现有的传统 DRAM 和 NAND 转化为尖端产品。

TEL近期的发展策略转向了更加积极的进攻性策略，这主要是基于对数字化转型、芯片制造的微型化，以及AI服务器中使用的AI加速器、图形处理单元（GPU）和高速内存等技术的看好。

武汉全球投资促进大会上宣布，武汉市将设立两只政府产业基金——武汉产业发展基金和江城产业投资基金，专注于集成电路等重点产业，旨在3至5年内吸引3000亿元投资，推动产业升级和区域经济发展。

据韩媒报道，韩国将向国家级半导体封装技术研发项目投入 2744 亿韩元（约合2亿美元），该技术是生产人工智能应用所必需的高性能、低功耗芯片的关键。

据韩媒报道，三星电子寻求从国有韩国产业银行借款至多5万亿韩元（约合36亿美元），为其在韩国和海外建设更多芯片生产设施的项目提供资金。

关系人士称，铠侠会在8月底提交正式申请、目标10月底上市，而为了赶上期限、正以比一般IPO更快的速度进行准备，但视进度而定、IPO时间有可能会推延至12月。铠侠此次IPO所能筹得的资金可能会低于2020年的预估值。

美光正在使用热压非导电薄膜 (TC-NCF) 工艺制造 HBM3E。三星也使用相同的工艺。TC-NCF 似乎很可能会在下一代产品 HBM4 中采用。据悉，HBM4 16H产品正在考虑使用混合键合。