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由韩国蔚山科技大学Kim Kyung-rok教授领导的研究小组成功研发了世界上第一个大尺寸晶圆上的三进制半导体设计，这对未来开发低功耗和高效能的微芯片有重要的意义。
三星宣布量产业内首款12Gb LPDDR5，并将晚些时候开始大规模生产基于8颗12Gb芯片封装的12GB LPDDR5产品，2020年开发16Gb LPDDR5，以巩固其在全球DRAM市场的竞争优势。
三星电子宣布将加强次世代神经网络处理器技术，进一步扩展其人工智能解决方案的范围。并计划2030年之前，扩编NPU相关人力至2,000名左右规模，约目前相关人力的10倍。
三星移动SSD-T5拥有2TB的最大存储空间，并且可以快速传输文件，性能高达540MB/s，比硬盘快4.9倍。三星宣布将为三星T5移动SSD加入精致的玫瑰金和金属红色铝质表面。
日前有消息称，三星集团将对位于西安的NAND Flash二期工厂投资逾140亿美元。该消息传出后，三星立即通过电子邮件，向路透社发表声明，否认相关新闻报导。
三星电子公布了截至2019年3月31日的2019年Q1财报：该季营收52.39兆韩元（约450.3亿美元），同比下滑13.5%，环比下滑11.6%；营业利润6.23兆韩元（约53.6亿美元），同比下滑60.2%，环比下滑42.3%；净利润5.04兆韩元（约
三星否认将推出2TB版本的M.2 2280 970 Pro SSD。目前没有计划发布这样的产品，但并不排除未来会对SSD产品进行容量上的升级。
三星电子将于4月30日推出业界首款采用7纳米（nm）远紫外（EUV）工艺生产的应用处理器（AP）。三星计划将该款AP用于今年下半年发布的Galaxy Note 10。
三星电子宣布将在2030年前投资133万亿韩元（约合1158亿美元）用于逻辑芯片业务，以加强其在System LSI和晶圆代工业务方面的竞争力。
三星即将推出超过30万亿韩元的非存储投资计划，并与韩国政府进行过相关讨论。
韩国京畿道龙仁市器兴区三星路1号
Samsung 第九代V-NAND 2024-08-27
Samsung 第八代V-NAND 2022-11-07
Samsung 3D TLC ADGU0F 2018-05-10
Samsung 3D TLC ADGU0D 2018-05-10
Samsung 3D TLC AFGH0A 2018-03-14
三星HBM3E 2024-03-20
三星HBM3 2023-10-17
三星 DDR5 DRAM 2021-10-12
三星 DDR4 DRAM 2011-01-17
三星PM9C1a系列SSD 2023-01-12
三星SSD 990 PRO 2022-08-25
三星SSD 990 PRO 2022-08-25
三星PM1743系列SSD 2021-12-23
三星ZNS SSDPM1731a 2021-06-02
三星LPDDR5X DRAM 2024-03-22
Samsung UFS 4.0 2022-05-25
三星eUFS3.1 2020-03-17
三星eUFS 3.0 2019-02-27
三星eUFS 2.1 2019-01-30
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三星EVO Plus MicroSD卡 2018-08-23
三星EVO升级版MicroSD卡 2018-05-16
三星PRO microSD卡 2018-04-25
Samsung Micro SD EVO+系列 2016-05-09
Samsung SD EVO+系列 2015-06-09
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