三星电子北美区(纽约总部)现任总裁及首席执行官Tim Baxter,今日通过领英个人资料中宣布他将从今年六月起退休,并离开三星电子公司。
三星电子公布了截至2018年12月31日的2018年Q4财报:该季营收59.27兆韩元,同比下滑10%,环比下滑9%;营业利润10.8兆韩元,同比下滑28.7%,环比下滑38.5%;净利润8.46兆韩元,同比下滑31%,环比下滑35.7%。
三星宣布开始量产业界首款1TB嵌入式eUFS 2.1产品,用于满足下一代高端智能型手机、高端平板、5G手机等移动设备产品对容量需求的增长。
三星电子宣布推出970 EVO Plus系列SSD,970 EVO Plus SSD,支持PCIe 3.0 x4,NVMe 1.3,三星自家Phoenix主控,闪存芯片从64层V-NAND TLC升级为第五代96层V-NAND TLC。
韩国最高法院周三裁定,三星电子与一家爱尔兰导管公司达成的专利授权协议是为了利用韩国爱尔兰税收协定中的特别豁免条款避税,应缴纳15亿韩元(约合134万美元)公司税。
2018年DRAM和NAND Flash价格双双走跌,再加上近期市场需求持续低迷,市场业内人士预计2019年第1季跌势将持续扩大。
企业分析机构韩国CXO研究所在周一发布的报告显示,自50年前创建以来,三星电子已经实现了爆炸性增长,成为了一家全球科技巨头。
因应恶化的市场环境,SK海力士取消退休年龄限制,确保核心技术竞争力,三星也采取不同战略迎接2019年的产业新变局。
三星电子将为奥迪下一代车载信息娱乐系统提供强大的支撑,因为基于 8nm 工艺制造的 Exynos Auto V9 芯片,将配备 8 个 Cortex-A76 核心。
全球智能型手机需求下滑,PC市场需求也受到了处理器缺货的影响,导致传统Q4淡季更加明显。在需求低迷的大环境下,据The Korea Herald报导,三星计划在2019年减少存储器产量,DRAM bit成长率由之前预估的20%降至低于20%,NAND Fl
韩国京畿道龙仁市器兴区三星路1号
Samsung 第九代V-NAND 2024-08-27
Samsung 第八代V-NAND 2022-11-07
Samsung 3D TLC ADGU0F 2018-05-10
Samsung 3D TLC ADGU0D 2018-05-10
Samsung 3D TLC AFGH0A 2018-03-14
三星HBM3E 2024-03-20
三星HBM3 2023-10-17
三星 DDR5 DRAM 2021-10-12
三星 DDR4 DRAM 2011-01-17
三星PM9C1a系列SSD 2023-01-12
三星SSD 990 PRO 2022-08-25
三星SSD 990 PRO 2022-08-25
三星PM1743系列SSD 2021-12-23
三星ZNS SSDPM1731a 2021-06-02
三星LPDDR5X DRAM 2024-03-22
Samsung UFS 4.0 2022-05-25
三星eUFS3.1 2020-03-17
三星eUFS 3.0 2019-02-27
三星eUFS 2.1 2019-01-30
三星EVO Plus MicroSD卡 2018-08-23
三星EVO升级版MicroSD卡 2018-05-16
三星PRO microSD卡 2018-04-25
Samsung Micro SD EVO+系列 2016-05-09
Samsung SD EVO+系列 2015-06-09
深圳市闪存市场资讯有限公司 客服邮箱:Service@ChinaFlashMarket.com
CFM闪存市场(ChinaFlashMarket) 版权所有 Copyright©2008-2023 粤ICP备08133127号-2