Samsung
作为全球半导体技术的领导者，三星在日前举行的三星技术日公布了其在半导体领域的最新突破：包括晶圆代工、NAND Flash、SSD以及DRAM的下一代技术。
三星官方宣布，已经开始进行7nm LPP（Low Power Plus）工艺芯片的量产工作。三星的7nm LPP采用EUV光刻，机器采购自荷兰ASML（阿斯麦），型号为双工件台NXE:3400B（光源功率280W），日产能1500片。
三星电子周三表示，公司已收购人工智能（AI）技术公司Zhilabs，以增强其5G能力。这是三星努力进入5G市场的一个举措。
三星原本规划2018年平泽厂将扩充西、东两条DRAM产线，规模分别为5万~6万片及7万~9万片，但近期东产线投产时机仍未确定，西产线扩产规模也缩小至3万片左右，此外，2018年原计划DRAM和NAND的位元成长分别约有20%和40%。
据英国金融时报报道，三星电子董事会主席李相勋因涉嫌破坏工会而受到起诉，检察官称其破坏工会组织的行为违反了韩国的劳动法。
三星电子全球副总裁及大中华区首席技术官做了题为“3D NAND技术发展和SSD存储创新”的演讲，从市场趋势、V-NAND技术演进、SSD产品布局和移动市场发展四个方面做了介绍。
据 NDTV 网站报道，三星电子称，公司的一家芯片工厂在周二发生二氧化碳泄露事件，导致一名工人死亡，两名工人受伤。
三星电子悄然推出了一款32GB超大容量的UDIMM DDR4内存条(编号M378A4G43MB1-CTD)，不像以往的大内存都是服务器专用，这次是给桌面PC的！
三星公司对其高性能，低延迟的非易失性存储产品Z-NAND进行了一些新的讨论。 Z-NAND旨在与英特尔用于构建Optane SSD和非易失性DIMM的3D Xpoint内存竞争。
三星电子发布了五款SSD固态硬盘，均面向数据中心领域的中小企业。
韩国京畿道龙仁市器兴区三星路1号
Samsung 第九代V-NAND 2024-08-27
Samsung 第八代V-NAND 2022-11-07
Samsung 3D TLC ADGU0F 2018-05-10
Samsung 3D TLC ADGU0D 2018-05-10
Samsung 3D TLC AFGH0A 2018-03-14
三星HBM3E 2024-03-20
三星HBM3 2023-10-17
三星 DDR5 DRAM 2021-10-12
三星 DDR4 DRAM 2011-01-17
三星PM9C1a系列SSD 2023-01-12
三星SSD 990 PRO 2022-08-25
三星SSD 990 PRO 2022-08-25
三星PM1743系列SSD 2021-12-23
三星ZNS SSDPM1731a 2021-06-02
三星LPDDR5X DRAM 2024-03-22
Samsung UFS 4.0 2022-05-25
三星eUFS3.1 2020-03-17
三星eUFS 3.0 2019-02-27
三星eUFS 2.1 2019-01-30
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三星EVO Plus MicroSD卡 2018-08-23
三星EVO升级版MicroSD卡 2018-05-16
三星PRO microSD卡 2018-04-25
Samsung Micro SD EVO+系列 2016-05-09
Samsung SD EVO+系列 2015-06-09
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