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三星电子公布2024年第四季度业绩预告，三星电子预计该季度营业收入达75万亿韩元（约合517.4亿美元），同比增长10.7%，环比下滑5.18%；营业利润预估达6.50万亿韩元（约合44.8亿美元），同比增长130.5%，环比下滑29.19%。
三星电子联席CEO兼副主席韩钟熙和全永铉在联合新年致辞中分享了他们对公司的愿景，重点追求“超级差距技术”，以在人工智能时代保持竞争优势。
三星电子通过组织重组，将DS部门的制造和技术组织分离为存储器部门的制造和技术以及代工部门的制造和技术，以提升竞争力和专注度。
继11月27日宣布2025届总裁级别人事变动后，三星电子今日宣布2025年定期高管人事改组名单，共晋升137人，其中副社长35人、常务董事92人、专家10人。
三星电子宣布2025届总裁级别人事变动，以增强未来的竞争力，重点关注半导体业务。此次总裁人事变动的主要特点是克服不确定的内外部经营环境，以实现新的飞跃。
NRD-K 将配备High-NA EUV光刻和新材料沉积设备，旨在加速开发下一代存储器半导体，例如3D DRAM 和具有 1,000 层以上的 V-NAND。此外，还计划对接具有创新晶圆对晶圆键合功能的晶圆键合基础设施。
另有消息称，三星电子正为微软和Meta量身打造第六代定制化高带宽存储器（HBM）HBM4。预期从HBM4开始，除了存储器功能外，HBM还需具备能够执行客户需求的各种运算。
今年三季度三星电子HBM总销售额环比增长超过70%，HBM3E 8层和12层堆叠产品均已量产并开始销售，HBM3E的销售占比已上升至HBM总销售额的10%左右，预计第四季度HBM3E将占HBM销售额的50%左右。
三星电子128GB CMM-D产品基于12nm级32Gb DDR5 DRAM和 Montage 的下一代控制器，与上一代产品相比，带宽提高10%，延迟降低20%。
24Gb GDDR7采用了第五代10纳米级DRAM制程技术，在相同封装尺寸下提高了电池集成度，与之前的产品相比，容量增加了50%；通过脉冲幅度调制（PAM3）信号技术，使其速度在图形DRAM中达到40Gbps，根据使用环境的不同，其性能可进一步提升至最高42.5Gbps。
韩国京畿道龙仁市器兴区三星路1号
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