面对全球智能型手机趋缓,以及包括存储芯片在内的半导体业务的挑战,三星正在向全球知名技术专家和专业人士抛出橄榄枝,寻找人工智能、大数据和机器人领域的顶尖人才,以加强其未来的新业务。
三星开始大规模量产12GB 低功耗双倍数率的LPDDR4X后,三星今天又宣布首次开发出第三代10纳米级(1z-nm)8Gb双倍数据速率的DDR4。
无人驾驶汽车一系列的工作都离不开数据的积累,更离不开大量数据的运算和海量数据的存储,以及数据的快速传输。 三星集成了以下汽车存储解决方案,确保最安全有效的汽车驾驶体验。
三星在NVIDIA的GPU技术大会(GTC)上发布了新的高带宽HBM2E产品,为下一代超级计算机、图形系统和人工智能(AI)等提供更高的DRAM性能水平。
三星电子联席CEO金基南(Kim Ki-nam)周三在三星年度股东大会上表示,由于智能机市场增长乏力,数据中心公司削减投资,公司的存储芯片等零部件业务预计将面临艰难一年。
三星宣布开始大规模量产12GB 低功耗双倍数率的LPDDR4X,将优先用于智能型手机,这将比超薄笔记本电脑中采用的8GB DRAM容量更高,已超越PC的发展速度。
三星平泽2号产线正在进行地下结构工程,决定投资兴建平泽半导体厂2号产线,欲生产DRAM,预计将在2019年底完工,2020年正式启用投产。
三星电子在一份监管简报中称,由于去年公司营业利润创下新纪录,公司预计今年将在韩国缴纳16.8万亿韩元(约合150亿美元)的公司税,同比增长20.1%。
三星电子北美区(纽约总部)现任总裁及首席执行官Tim Baxter,今日通过领英个人资料中宣布他将从今年六月起退休,并离开三星电子公司。
三星电子公布了截至2018年12月31日的2018年Q4财报:该季营收59.27兆韩元,同比下滑10%,环比下滑9%;营业利润10.8兆韩元,同比下滑28.7%,环比下滑38.5%;净利润8.46兆韩元,同比下滑31%,环比下滑35.7%。
韩国京畿道龙仁市器兴区三星路1号
Samsung 第九代V-NAND 2024-08-27
Samsung 第八代V-NAND 2022-11-07
Samsung 3D TLC ADGU0F 2018-05-10
Samsung 3D TLC ADGU0D 2018-05-10
Samsung 3D TLC AFGH0A 2018-03-14
三星HBM3E 2024-03-20
三星HBM3 2023-10-17
三星 DDR5 DRAM 2021-10-12
三星 DDR4 DRAM 2011-01-17
三星PM9C1a系列SSD 2023-01-12
三星SSD 990 PRO 2022-08-25
三星SSD 990 PRO 2022-08-25
三星PM1743系列SSD 2021-12-23
三星ZNS SSDPM1731a 2021-06-02
三星LPDDR5X DRAM 2024-03-22
Samsung UFS 4.0 2022-05-25
三星eUFS3.1 2020-03-17
三星eUFS 3.0 2019-02-27
三星eUFS 2.1 2019-01-30
三星EVO Plus MicroSD卡 2018-08-23
三星EVO升级版MicroSD卡 2018-05-16
三星PRO microSD卡 2018-04-25
Samsung Micro SD EVO+系列 2016-05-09
Samsung SD EVO+系列 2015-06-09
深圳市闪存市场资讯有限公司 客服邮箱:Service@ChinaFlashMarket.com
CFM闪存市场(ChinaFlashMarket) 版权所有 Copyright©2008-2023 粤ICP备08133127号-2