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三星发布了2019年Q1初步财报预告，受需求淡季以及NAND Flash和DRAM价格下滑的影响，三星预估2019年首季营收52兆韩元（约458亿美元），同比下滑14%；营业利润6.2兆韩元（约55亿美元），同比下滑60.4%。
三星电子招募汉阳大学电子工程宋永浩教授和伊利诺伊大学厄巴纳香槟分校（UIUC）计算机工程Kim Nam-seung教授加入半导体部门，以加强其下一代DRAM和NAND Flash技术。
面对全球智能型手机趋缓，以及包括存储芯片在内的半导体业务的挑战，三星正在向全球知名技术专家和专业人士抛出橄榄枝，寻找人工智能、大数据和机器人领域的顶尖人才，以加强其未来的新业务。
三星开始大规模量产12GB 低功耗双倍数率的LPDDR4X后，三星今天又宣布首次开发出第三代10纳米级（1z-nm）8Gb双倍数据速率的DDR4。
无人驾驶汽车一系列的工作都离不开数据的积累，更离不开大量数据的运算和海量数据的存储，以及数据的快速传输。 三星集成了以下汽车存储解决方案，确保最安全有效的汽车驾驶体验。
三星在NVIDIA的GPU技术大会（GTC）上发布了新的高带宽HBM2E产品，为下一代超级计算机、图形系统和人工智能（AI）等提供更高的DRAM性能水平。
三星电子联席CEO金基南(Kim Ki-nam)周三在三星年度股东大会上表示，由于智能机市场增长乏力，数据中心公司削减投资，公司的存储芯片等零部件业务预计将面临艰难一年。
三星宣布开始大规模量产12GB 低功耗双倍数率的LPDDR4X，将优先用于智能型手机，这将比超薄笔记本电脑中采用的8GB DRAM容量更高，已超越PC的发展速度。
三星平泽2号产线正在进行地下结构工程，决定投资兴建平泽半导体厂2号产线，欲生产DRAM，预计将在2019年底完工，2020年正式启用投产。
三星电子在一份监管简报中称，由于去年公司营业利润创下新纪录，公司预计今年将在韩国缴纳16.8万亿韩元(约合150亿美元)的公司税，同比增长20.1%。
韩国京畿道龙仁市器兴区三星路1号
Samsung 第九代V-NAND 2024-08-27
Samsung 第八代V-NAND 2022-11-07
Samsung 3D TLC ADGU0F 2018-05-10
Samsung 3D TLC ADGU0D 2018-05-10
Samsung 3D TLC AFGH0A 2018-03-14
三星HBM3E 2024-03-20
三星HBM3 2023-10-17
三星 DDR5 DRAM 2021-10-12
三星 DDR4 DRAM 2011-01-17
三星PM9C1a系列SSD 2023-01-12
三星SSD 990 PRO 2022-08-25
三星SSD 990 PRO 2022-08-25
三星PM1743系列SSD 2021-12-23
三星ZNS SSDPM1731a 2021-06-02
三星LPDDR5X DRAM 2024-03-22
Samsung UFS 4.0 2022-05-25
三星eUFS3.1 2020-03-17
三星eUFS 3.0 2019-02-27
三星eUFS 2.1 2019-01-30
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三星EVO Plus MicroSD卡 2018-08-23
三星EVO升级版MicroSD卡 2018-05-16
三星PRO microSD卡 2018-04-25
Samsung Micro SD EVO+系列 2016-05-09
Samsung SD EVO+系列 2015-06-09
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