Samsung
日前，中国三星总裁黄得圭在接受新华社记者采访时表示，“中国是全球第二大经济体，也是全球最大的消费市场。三星历来重视在中国的投资和合作交流，5G时代更是如此。”
三星三季度营收62万亿韩元（约533亿美元），同比减少5.28%，环比上升10.45%；营业利润7.78万亿韩元（约67亿美元），同比下滑55.72%，同比上升17.88%。
三星电子以611亿美元的品牌价值，在Interbrand的“ 2019年度最佳全球品牌”列表中排名第六，品牌价值增长2%，连续8年跻身前十。
10月10日，三星电子在慕尼黑代工论坛上介绍了最先进的代工工艺产品组合，包括欧洲市场感兴趣的汽车半导体解决方案。
据外媒Business报道称，三星正考虑对其在中国西安兴建的二期半导体工厂进行额外投资。据消息人士透露，三星计划明年将存储器芯片设施的资本支出小幅增加至65亿美元（约合7.78万亿韩元），而计划是将增加的这部分资金用于西安二期半导体工厂的额外投资，预计三星会在年底公布投资计划。
三星电子宣布，已开发出业界首个12层3D-TSV（(Through Silicon Via）技术，需要通过超过60,000多个TSV孔的三维结构垂直互连12个DRAM芯片。
据businesskorea报道称，业内人士对半导体市场状况复苏，以及对三星第三季度业绩改善的看法优于预期，三星股价已连续数日上涨。
三星存储计划部全球副总裁/SohnHangu向大家分享了其V-NAND技术发展与创新领域的一些机遇。三星作为NAND Flash主要的供应商，每一年都有发布新的V-NAND技术，最新的第6代128层V-NAND将在2019年大规模量产。
在9月19日举行的中国闪存市场峰会（CFMS2019）上，三星存储计划部全球副总裁Sohn Hangu将带来精彩演讲，敬请期待！
Samsung在日本举行了“Samsung晶圆代工论坛”SFF会议，公布了旗下新一代工艺的进展，其中3nm的工艺明年就完成开发了。
韩国京畿道龙仁市器兴区三星路1号
Samsung 第九代V-NAND 2024-08-27
Samsung 第八代V-NAND 2022-11-07
Samsung 3D TLC ADGU0F 2018-05-10
Samsung 3D TLC ADGU0D 2018-05-10
Samsung 3D TLC AFGH0A 2018-03-14
三星HBM3E 2024-03-20
三星HBM3 2023-10-17
三星 DDR5 DRAM 2021-10-12
三星 DDR4 DRAM 2011-01-17
三星PM9C1a系列SSD 2023-01-12
三星SSD 990 PRO 2022-08-25
三星SSD 990 PRO 2022-08-25
三星PM1743系列SSD 2021-12-23
三星ZNS SSDPM1731a 2021-06-02
三星LPDDR5X DRAM 2024-03-22
Samsung UFS 4.0 2022-05-25
三星eUFS3.1 2020-03-17
三星eUFS 3.0 2019-02-27
三星eUFS 2.1 2019-01-30
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三星EVO Plus MicroSD卡 2018-08-23
三星EVO升级版MicroSD卡 2018-05-16
三星PRO microSD卡 2018-04-25
Samsung Micro SD EVO+系列 2016-05-09
Samsung SD EVO+系列 2015-06-09
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