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三星电子3月30日发布了2019年业务报告，报告显示2019年三星电子在员工人数和研发投资规模方面均创下新纪录。
三星电子宣布已经成功出货了100万个业界首款基于极紫外光（EUV）技术的10nm级（D1x）DDR4模块，目前已经完成了全球客户的评估。
三星电子宣布已经开始批量生产用于智能手机的512GB eUFS 3.1，其写入速度为512GB eUFS 3.0的三倍，打破了智能手机存储中1GB/s的阈值。
三星电子16日在一份备忘录中表示，“强烈建议”所有员工尽可能在家工作，此举旨在应对日益升级的新冠病毒疫情。
3月10日，三星（中国）半导体有限公司举行三星高端存储芯片二期第一阶段项目产品下线上市仪式，预计今年8月实现满产。
三星位于中国西安的工厂二期目前正在安置生产设备，预计将在2020上半年投产NAND Flash。与此同时，三星平泽二期工厂也正在进行清洁室建设，将根据市场情况决定在2020年投产的时间节点，用于生产DRAM。
三星华城半月洞半导体工厂废水处理厂发生火灾，DRAM和NAND Flash芯片生产未受影响。
三星电子21日宣布任命外部董事、韩国前企划财政部长朴宰完（Bahk Jae-wan）作为董事会的新主席，接替宣布辞职的李相勋（Lee Sang-hoo），三星称这一任命即刻生效，将提高董事会的独立性和管理透明度。
三星宣布位于韩国华城的最新尖端半导体V1工厂生产线已经开始量产，该工厂致力于极紫外（EUV）光刻技术生产，并使用7纳米（nm）以下的工艺节点生产芯片。
三星通过微博正式公布LPDDR5，官方宣传称，与LPDDR4X相比，LPDDR5带宽提升29%，相同工作效率下，功耗节省14%。
韩国京畿道龙仁市器兴区三星路1号
Samsung 第九代V-NAND 2024-08-27
Samsung 第八代V-NAND 2022-11-07
Samsung 3D TLC ADGU0F 2018-05-10
Samsung 3D TLC ADGU0D 2018-05-10
Samsung 3D TLC AFGH0A 2018-03-14
三星HBM3E 2024-03-20
三星HBM3 2023-10-17
三星 DDR5 DRAM 2021-10-12
三星 DDR4 DRAM 2011-01-17
三星PM9C1a系列SSD 2023-01-12
三星SSD 990 PRO 2022-08-25
三星SSD 990 PRO 2022-08-25
三星PM1743系列SSD 2021-12-23
三星ZNS SSDPM1731a 2021-06-02
三星LPDDR5X DRAM 2024-03-22
Samsung UFS 4.0 2022-05-25
三星eUFS3.1 2020-03-17
三星eUFS 3.0 2019-02-27
三星eUFS 2.1 2019-01-30
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三星EVO Plus MicroSD卡 2018-08-23
三星EVO升级版MicroSD卡 2018-05-16
三星PRO microSD卡 2018-04-25
Samsung Micro SD EVO+系列 2016-05-09
Samsung SD EVO+系列 2015-06-09
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